松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司與瑞薩科技公司日前宣布，兩家公司已開始對45nm SoC（系統(tǒng)級芯片）半導體制造技術進行全面整合1 測試。該工藝技術是業(yè)界第一次利用1.0以上的數(shù)值孔徑（NA）和ArF（氬氟化物）浸入式微影系統(tǒng)2進行的全面整合。兩家公司于2005年10月開始實施45nm結點工藝開發(fā)項目，且早在1998年就在上一代工藝開發(fā)方面進行了合作。

      預期目前的聯(lián)合開發(fā)項目將在2007年6月完成，開始投入量產(chǎn)的時間是2008財年。新的45nm工藝將用來制造松下和瑞薩用于先進移動產(chǎn)品和網(wǎng)絡消費類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級芯片。除了先進級的ArF浸入式光刻外，兩家公司還計劃在開發(fā)項目中采用其他新技術，包括引入應力的高遷移率晶體管3和ELK（K = 2.4）多層布線模塊4。

      兩家公司首次合作開發(fā)下一代SoC技術是在1998年，還是在瑞薩科技成立之前。這個新項目是雙方從2005年10月開始合作的第五階段的一部分。給人留下深刻印象的記錄包括，2001年完成的130nm DRAM融合工藝、2002年的90nm SoC工藝，以及2004年的90nm DRAM融合工藝和2005年的65nm SoC工藝結點開發(fā)項目。

      未來，松下與瑞薩將繼續(xù)高效合作開發(fā)先進技術，利用雙方積累的技術和建立在信任基礎上的緊密合作關系，充分利用開發(fā)資源和分享技術信息。