英特爾透露，英特爾的研究人員開發(fā)出一種新技術，它將在高能效表現(xiàn)方面進一步加強英特爾的領導地位。英特爾對新型的三門（或稱三維）晶體管的研發(fā)已經(jīng)進入到針對量產(chǎn)的研發(fā)階段。由于這些晶體管大大提升了傳統(tǒng)晶體管的性能和能效，英特爾預計，在超越了45納米制程技術之后的某個時間，三門晶體管技術可能成為未來微處理器的基本建筑模塊。 　
 
      自從20世紀50年代晚期，半導體產(chǎn)業(yè)迎來它的朝陽之后，平面型晶體管就被認為是芯片的基本建筑模塊。隨著半導體技術發(fā)展到納米技術的縱深領域（尺寸小于100納米），一些晶體管的尺寸甚至只有幾層原子那么大，以前被認為只能做成“平面”的器件，現(xiàn)在可以設計成三維的，從而提高性能表現(xiàn)和功耗特性。英特爾在大批量生產(chǎn)更小尺寸的芯片方面一直是行業(yè)的領導者，現(xiàn)在英特爾又發(fā)明了一種方法，把這些三維的或曰三門的晶體管與其他關鍵的半導體技術結合起來，從而開啟了高能效表現(xiàn)的一個新時代。  

       在英特爾未來的高能效表現(xiàn)方面，三門晶體管很可能會扮演一個至關重要的角色，因為三門晶體管相比現(xiàn)在的平面型晶體管，不僅滲漏低得多，而且消耗的電能也會少得多。比起現(xiàn)在的65納米晶體管，集成的三門晶體管可以提升45%的驅動電流（開關速度）或者使關電流減小50倍，并使晶體管的開關電能減少35%。性能的提升和功耗的減少，將使用戶在使用英特爾平臺的個人電腦和其他設備時，獲得更好的體驗。

      在6月13日夏威夷火奴魯魯舉行的2006年超大規(guī)模集成電路技術研討會上，英特爾的技術專家將陳述一篇關于此項研究的技術論文。