兩大巨頭聯(lián)手研究128M相變內(nèi)存樣品已現(xiàn)

時(shí)間：2006-06-15 01:33:34

關(guān)鍵字：內(nèi)存意法半導(dǎo)體英特爾 NOR閃存

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[導(dǎo)讀]英特爾和意法半導(dǎo)體已聯(lián)手研究相變內(nèi)存(phase-change memory，PCM)。此前這兩大芯片廠商一直在研究基于硫族化物的相變內(nèi)存――作為一種非易失性內(nèi)存，這種內(nèi)存可能取代閃存。根據(jù)各自與Ovonyx公司簽署的許

英特爾和意法半導(dǎo)體已聯(lián)手研究相變內(nèi)存(phase-change memory，PCM)。此前這兩大芯片廠商一直在研究基于硫族化物的相變內(nèi)存――作為一種非易失性內(nèi)存，這種內(nèi)存可能取代閃存。

根據(jù)各自與Ovonyx公司簽署的許可協(xié)議，英特爾和意法半導(dǎo)體都在研究相變內(nèi)存。Ovonyx Inc.是Energy Conversion Devices的全資子公司。Ovonic Unified Memory試圖利用在非晶態(tài)與晶態(tài)之間的可逆相變。在硫族化物合金中，可以影響這些狀態(tài)，比較典型的有碲化銻和碲化鍺合金。

但是，英特爾和意法半導(dǎo)體計(jì)劃在即將在6月13-15日于檀香山召開的VLSI科技研討會(huì)上提交一篇雙方聯(lián)合撰寫的論文。這兩家公司的工程師將介紹一種90納米制造節(jié)點(diǎn)相變內(nèi)存工藝，基于硫族化物材料存儲(chǔ)元素，利用一個(gè)垂直的PNP雙極結(jié)晶體管作為選擇器器件。

英特爾和意法半導(dǎo)體的作者在論文摘要中表示：“12F2具有較小的單元面積、良好的電氣性能和內(nèi)在的可靠性，顯示出了PCM單元概念的可行性?！睋?jù)信，意法半導(dǎo)體已利用90納米工藝開發(fā)出了128Mbit大型陳列樣品，并在考慮利用45或32納米技術(shù)商業(yè)化批量生產(chǎn)容量為幾個(gè)G的產(chǎn)品。

意法半導(dǎo)體和英特爾在NOR閃存領(lǐng)域已開展商業(yè)合作，盡管他們迄今未共享制造工藝或者產(chǎn)品。兩家公司曾在2005年12月宣稱，將基于通用規(guī)范提供硬件、軟件兼容的NOR閃存產(chǎn)品。他們?cè)?0納米節(jié)點(diǎn)已開始推出512M器件，并稱隨后是采用65納米工藝的單芯片1G NOR閃存。

由此可見，NOR閃存正面臨多種新興閃存技術(shù)的挑戰(zhàn)，除NAND閃存外，相變內(nèi)存正在苦苦追趕。