ASML公司EUV(Extreme ultraviolet)系統(tǒng)產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)理Hans Meiling透露，其公司采用EUV alpha演示工具印制出了亞40納米光阻圖像。

Meiling在提交給SPIE微光刻大會(huì)的一篇論文中匯報(bào)了EUV領(lǐng)域的進(jìn)展，包括EUV掩膜、可工作晶圓和十字刻度線(reticle stages)在真空環(huán)境內(nèi)的可用性和in-situ EUV系統(tǒng)的清洗。

Meiling和來自競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手尼康的Takaharu Miura都談到了面向32納米節(jié)點(diǎn)的EUV已準(zhǔn)備就緒。Meiling透露，ASML已交付7套EUV光掩膜，另外13套即將交付。光掩膜空白符合32納米節(jié)點(diǎn)對(duì)平整度的要求。ASML還演示了成功處理光滑EUV掩膜，沒有出現(xiàn)額外缺陷。

Meiling表示，該公司計(jì)劃今年上半年向Albany NanoTech及IMEC交付演示工具。