據(jù)國外媒體報道，美國一家半導(dǎo)體公司研發(fā)出了一種名為Z-RAM的新技術(shù)，可以將目前處理器芯片上的緩存數(shù)量增加4倍。處理器巨頭AMD表示已經(jīng)購買了Z-RAM的專利許可。

Z-RAM技術(shù)由一家美國和瑞士合資的新創(chuàng)公司“Innovative Silicon（創(chuàng)意硅片）”研發(fā)。它可以去掉目前緩存芯片上集成的電容組件，從而節(jié)省空間。在微處理器原先的面積上，可以集成更多的緩存芯片。目前的Z-RAM技術(shù)可以使緩存變?yōu)樵鹊?倍。

“創(chuàng)意硅片”公司研發(fā)了用SOI工藝實施Z-RAM的技術(shù)，目前SOI工藝已經(jīng)被AMD、IBM和Freescale等公司所采用，這將方便Z-RAM技術(shù)向更多半導(dǎo)體企業(yè)普及。

AMD負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的副總裁Craig Sander表示，“創(chuàng)意硅片”公司Z-RAM技術(shù)的初步數(shù)據(jù)看上去令人滿意，不過，要證明Z-RAM可以成功地應(yīng)用于AMD處理器還有一些工作要做，尤其是如何適應(yīng)AMD制造工藝向45納米轉(zhuǎn)移。

據(jù)悉，AMD將在90納米和65納米工藝生產(chǎn)線試驗Z-RAM技術(shù)，不過，緩存增加5倍的處理器上市可能還需要一些時日。