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[導(dǎo)讀]著眼于未來(lái)先進(jìn)長(zhǎng)程演進(jìn)計(jì)劃(LTE-Advanced)世代,射頻前端(RF Front-end)的角色將愈來(lái)愈重要,高通(Qualcomm)繼推出RF360射頻前端產(chǎn)品系列方案后,近期再度出手購(gòu)并互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)功率放大器(PA)供應(yīng)

著眼于未來(lái)先進(jìn)長(zhǎng)程演進(jìn)計(jì)劃(LTE-Advanced)世代,射頻前端(RF Front-end)的角色將愈來(lái)愈重要,高通(Qualcomm)繼推出RF360射頻前端產(chǎn)品系列方案后,近期再度出手購(gòu)并互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)功率放大器(PA)供應(yīng)商Black Sand,藉以強(qiáng)化RF360方案競(jìng)爭(zhēng)力。

高通產(chǎn)品管理資深副總裁Alex Katouzian表示,該公司不斷精進(jìn)RF360系列方案性能,將使消費(fèi)者和原始設(shè)備制造商(OEM)共同受益于這些創(chuàng)新,并得以實(shí)現(xiàn)小尺寸、低功耗同時(shí)可全球漫游的LTE裝置。

隨著通訊產(chǎn)業(yè)朝向LTE-A發(fā)展,手機(jī)除須支援多個(gè)頻段外,采用功率放大器的數(shù)量亦隨之增加,致使既有采用砷化鎵(GaAs)制程的功率放大器產(chǎn)能供不應(yīng) 求。而采用CMOS制程的功率放大器,因原料成本相對(duì)較低,同時(shí)其效能亦可滿足LTE應(yīng)用要求,再加上由Black Sand所開(kāi)發(fā)出的產(chǎn)品在功能與腳位上均可相容于GaAs方案,因此行動(dòng)裝置制造商可輕易進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)移,遂使該方案迅速于RF市場(chǎng)中竄紅。

藉由整合Black Sand的技術(shù)與人才,高通預(yù)期將能對(duì)RF360系列產(chǎn)品進(jìn)行強(qiáng)化,以增加其COMS功率放大器優(yōu)勢(shì)與支援頻段范圍,并加大與其他廠商的競(jìng)爭(zhēng)差距。

據(jù)了解,此波購(gòu)并動(dòng)作雙方皆尚未進(jìn)行公開(kāi)說(shuō)明,但在Black Sand官網(wǎng)上已發(fā)布訊息證實(shí)該公司于6月18日并入高通。Black Sand為一家無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司,提供以矽(Silicon)材料為基礎(chǔ)的無(wú)線解決方案;其主要產(chǎn)品為兼具高功率及低功耗的3G CMOS功率放大器,并能支援多種頻段。
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