iSuppli分析家Nam Hyung Kim指出全球前四大DRAM制造商Hynix、Infineon、Micron與Samsung在最新的工藝技術(shù)上都面臨一些問題，限制了 DDR SDRAM產(chǎn)品的產(chǎn)量，并導(dǎo)致市場上價(jià)格的上揚(yáng)。這些業(yè)者的問題主要發(fā)生在從原來的0.14或0.13微米工藝技術(shù)轉(zhuǎn)向0.11或0.10微米工藝技 術(shù)。這種轉(zhuǎn)換的問題在DRAM業(yè)界可說極為普遍，而且目前轉(zhuǎn)向更先進(jìn)，更復(fù)雜程序所耗費(fèi)的時(shí)間比之前的技術(shù)世代更為漫長。Kim表示，上 述這四家主要DRAM制造商除了Samsung之外，Hynix、Infineon與Micron都有0.11微米的問題，而Samsung從0.11微米轉(zhuǎn)向0.10微米也有差錯(cuò)，良 率不夠高，主要是該公司bit-line采用新的材料，從tungsten silicide轉(zhuǎn)向tungsten。該公司在2004年第四季開始生產(chǎn)0.10微米DDR SDRAM “Die- F” ，分為256與512-MB，但Kim認(rèn)為它迄今還不太成功，問題在短期之內(nèi)也不易迅速解決。

    這些生產(chǎn)上的問題僅是DRAM業(yè)者近年來一連串問題中的一部份而已；兩年前全球DRAM價(jià)位大幅提升，后來價(jià)格崩盤，導(dǎo)致有些業(yè)者的 DRAM業(yè)務(wù)大幅虧損。美國與歐盟目前都在調(diào)查全球主要DRAM制造商是否聯(lián)手在2002年，聯(lián)合操控柯斷價(jià)格。據(jù)信某些業(yè)者考慮付出巨額罰 款以與檢察官方面達(dá)成協(xié)議。