Infineon開發(fā)新一代服務(wù)器內(nèi)存模塊
英飛凌科技公司(Infineon)今天在舊金山“英特爾開發(fā)商論壇”(2005年3月1-3日)上宣布,該公司開發(fā)的全緩沖服務(wù)器內(nèi)存模塊(FB-DIMM)樣品成功啟動了來自主要OEM的標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器系統(tǒng)。這次具有里程碑意義的演示是在采用新一代英特爾服務(wù)器芯片組的服務(wù)器平臺上進(jìn)行的,標(biāo)志著英飛凌公司在新一代內(nèi)存子系統(tǒng)開發(fā)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。
FB-DIMM ,有望從2006年開始在高端服務(wù)器領(lǐng)域取代寄存型服務(wù)器內(nèi)存模塊(Registered DIMM)。FB-DIMM架構(gòu)以面向高端內(nèi)存連接的全新內(nèi)存互連技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)。模塊上的高級存儲緩沖器(AMB)芯片可以提高內(nèi)存的存儲速度,增加內(nèi)存模塊的存儲容量,從而為開發(fā)基于DDR2和DDR3 DRAM的下一代高性能內(nèi)存模塊打下基礎(chǔ)。
高存儲密度和模塊上的AMB芯片使得FB-DIMM的發(fā)熱非常厲害。為了控制熱負(fù)荷,JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化組織要求內(nèi)存模塊上必須裝有散熱片。英飛凌開發(fā)的單片散熱片的體積比JEDEC規(guī)定體積更小。英飛凌將向客戶提供采用其散熱片設(shè)計(jì)的FB-DIMM模塊,測試表明這種模塊具有卓越的散熱性能。
英飛凌當(dāng)前演示系統(tǒng)里采用的FB-DIMM是基于DDR2的全緩沖服務(wù)器內(nèi)存模塊,存儲容量為512MB 或1GB,存儲速度為533Mb/s 或667Mb/s。英飛凌計(jì)劃在2005年年中前向客戶提供標(biāo)準(zhǔn)樣品,并在今年稍后時間開始向客戶供貨。
FB-DIMM ,有望從2006年開始在高端服務(wù)器領(lǐng)域取代寄存型服務(wù)器內(nèi)存模塊(Registered DIMM)。FB-DIMM架構(gòu)以面向高端內(nèi)存連接的全新內(nèi)存互連技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)。模塊上的高級存儲緩沖器(AMB)芯片可以提高內(nèi)存的存儲速度,增加內(nèi)存模塊的存儲容量,從而為開發(fā)基于DDR2和DDR3 DRAM的下一代高性能內(nèi)存模塊打下基礎(chǔ)。
高存儲密度和模塊上的AMB芯片使得FB-DIMM的發(fā)熱非常厲害。為了控制熱負(fù)荷,JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化組織要求內(nèi)存模塊上必須裝有散熱片。英飛凌開發(fā)的單片散熱片的體積比JEDEC規(guī)定體積更小。英飛凌將向客戶提供采用其散熱片設(shè)計(jì)的FB-DIMM模塊,測試表明這種模塊具有卓越的散熱性能。
英飛凌當(dāng)前演示系統(tǒng)里采用的FB-DIMM是基于DDR2的全緩沖服務(wù)器內(nèi)存模塊,存儲容量為512MB 或1GB,存儲速度為533Mb/s 或667Mb/s。英飛凌計(jì)劃在2005年年中前向客戶提供標(biāo)準(zhǔn)樣品,并在今年稍后時間開始向客戶供貨。





