IBM、英飛凌和旺宏電子今日宣布，三方將聯(lián)手推出一個研究計劃，以便進一步挖掘一種全新的計算機存儲器技術——相變內(nèi)存（PCM）的巨大潛力。

盡管仍處于開發(fā)早期階段，但這種技術在高速、高密度數(shù)據(jù)存儲方面已經(jīng)顯示出巨大的潛力，并實現(xiàn)了斷電時的數(shù)據(jù)保護。此項技術的這些優(yōu)良特性將為從高性能服務器到消費電子產(chǎn)品的多種應用帶來巨大的利益。

這種創(chuàng)新技術完美融合了IBM在基礎材料和物理研究領域的強大實力，英飛凌在內(nèi)存技術研發(fā)及生產(chǎn)方面的超凡能力，以及旺宏電子在非易失性內(nèi)存技術領域的豐富經(jīng)驗。

“此次合作再次增強了IBM探索內(nèi)存應用新技術的決心，”IBM研究院科技副總裁T.C. Chen說，“這個計劃的目的在于開發(fā)用于高性能非易失性內(nèi)存的新材料，并在內(nèi)存芯片中對這些材料進行評估。”

“這項計劃再次顯示了英飛凌在新興內(nèi)存技術的評估和開發(fā)領域的強大動力，”英飛凌內(nèi)存產(chǎn)品部技術與開發(fā)高級副總裁Wilhelm Beinvogl表示，“通過這次凝聚著各個領域?qū)＜抑腔鄣暮献鳎?strong>英飛凌進一步延續(xù)了自己在合作研發(fā)方面的悠久歷史?！?nbsp;

“旺宏電子在非易失性內(nèi)存的獨立和聯(lián)合開發(fā)方面有著悠久的歷史。此次PCM研發(fā)聯(lián)盟使我們?yōu)榭蛻糇非笞罴鸭夹g和最大價值的理念得到了進一步延續(xù)。我們堅信此次PCM聯(lián)合研發(fā)不僅能夠使非易失性內(nèi)存超越現(xiàn)有的浮柵和Nbit（2位/單元）技術，同時還將帶來嶄新的市場機會，”旺宏電子總裁兼首席執(zhí)行官吳敏求說道。

研究工作將由分別來自三家公司的約20～25名員工在IBM華生研究中心（美國紐約州約克鎮(zhèn)）和阿莫頓研究中心（美國加州圣何塞）進行。