3月10日消息，據(jù)外電報道，英特爾閃存部門戰(zhàn)略策劃經(jīng)理Greg Komoto日前表示，到2010年，當(dāng)前的閃存技術(shù)將逐漸被相變存儲OUM所取代。 

　　據(jù)英國媒體報道，Komoto日前表示，英特爾始終認(rèn)為，與MRAM和FeRAM技術(shù)相比，Ovonic統(tǒng)一存儲（OUM），即相變存儲，是閃存的最佳替代品。 

　　最初，OUM由英特爾和Ovonyx聯(lián)合開發(fā)。2000年，英特爾入股Ovonyx。此后，Ovonyx先后向意法半導(dǎo)體、日本的Elpida，以及三星授權(quán)OUM存儲技術(shù)，作為閃存的潛在替代品。

　　2002年，英特爾與Azalea Microelectronics合作，基于0.18微米工藝開發(fā)出了OUM芯片原型。此后，英特爾便獨自嘗試0.13微米工藝。英特爾開發(fā)OUM存儲最早要追溯于1970年9月，當(dāng)時由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登-摩爾提出。