面對蒸蒸日上的NAND型閃存市場，臺灣內存制造商有些坐不住了，紛紛宣布要進入該市場。臺灣DRAM制造商南亞（Nanya）、力晶科技（Powerchip）和茂德科技（ProMos）在過去已經宣稱要進入NAND型閃存市場，不過沒有見到什么實質行動。因為臺灣本土廠商缺少NAND型閃存專利和技術，他們注定是該市場的后來者。

　　因而臺灣廠商會使用更安全的閃存代工策略。盡管沒有太多事前的聲張，不過目前至少有兩個臺灣廠家想通過這個途徑進入市場。

　　今年早些時候，力晶科技獲得瑞薩科技的授權，銷售后者的NAND型閃存。瑞薩早就表示，這會為NAND型閃存市場帶來變數(shù)。不過更大的進展來自內存制造專家茂德科技，該公司宣稱已經進入“試產”階段，很可能是臺灣首款擁有自主知識產權的NAND型閃存產品。

　　茂德科技的1GB閃存使用自己的設計，基于130納米工藝。根據(jù)Gartner Inc.的報道，該產品將在該公司位于新竹的8英寸芯片廠制造。當然，技術遠遠落后當前的競爭對手，不過茂德科技已經計劃加快其研發(fā)步伐以便早日趕上對手。

　　Gartner的分析師Ben Lee在一份報告中寫到：“茂德并沒有計劃在2007年上半年之前量產130納米NAND型閃存芯片。根據(jù)市場需要，茂德會發(fā)布在其12英寸晶圓廠用亞60納米工藝生產的容量超過16GB的芯片?！?

　　茂德科技的第二間12英寸晶圓廠去年正式投入生產。該公司表示第三間12英寸工廠已經提上議事日程，Lee認為極可能是作生產NAND型閃存之用。不過這間工廠最有可能是拿來生產DRAM。Lee表示，該公司計劃在2008年在該廠使用60納米技術生產基于其合作伙伴海力士半導體的DRAM產品。

　　另外一家DRAM制造商力晶最近宣布，它獲得瑞薩的授權協(xié)議。協(xié)議包括瑞薩的AD-AND型閃存的技術和銷售權。該協(xié)議同時授權力晶可以使用自用品牌出售AG-AND型閃存。

　　力晶也已經在代工方面展開了行動。今年1月份，該公司表示將會購買旺宏電子的一間12英寸晶圓廠，以便緩解高密度數(shù)據(jù)閃存不斷增長的需求。旺宏電子的該工廠沒有設備，不過是按月產3.5萬片晶圓設計的，售價為1.66億美元。作為協(xié)議的一部分，旺宏電子和力晶將會在將來的閃存開發(fā)上組成伙伴關系，包括那些在力晶用90納米技術代工的閃存。

　　DRAM制造商南亞在過去幾個月一直表示要進入NAND型閃存市場。不過目前為止，該公司還沒有透露過它的計劃。

　　不過無論如何，臺灣制造商能否面對海力士、IM Flash、三星、東芝和其他NAND型生產廠家的競爭仍是未知之數(shù)。不過，如果像DRAM一樣，臺灣廠家應該可以爭得一席之地?；蛘撸紤]到目前NAND型閃存市場糟糕的價格趨勢，臺灣投機主義者們或者可以考慮適當推遲進入市場的日期。