全球第一大DRAM制造商三星電子原來預期，在2006年第二季初80納米制程產(chǎn)品應開始小量供貨。但為了避免旺季來臨時，因 80納米制程轉(zhuǎn)換遇到瓶頸而喪失市場，三星臨時更換投片策略，將先行挪出8英寸廠產(chǎn)能采用0.11微米制程來接替，待需求轉(zhuǎn)弱時再投入80納米制程量產(chǎn)；目前初步估計最快也要等到2007年第一季左右，80納米制程才有產(chǎn)品產(chǎn)出，但可預期的是，全球DRAM市場將因三星的錯估制程轉(zhuǎn)換順暢度而大受影響。 

    據(jù)媒體報道，三星電子轉(zhuǎn)進90納米制程時間已幾乎長達1～2年，且制造良率相當穩(wěn)定，因此認為要進入80納米制程并非難事，原本估計2006年4月就會有比90納米的C代產(chǎn)品更進一步，采用80納米所制造的D代產(chǎn)品出現(xiàn)；不過，由于80納米并非如當初想象容易，導致4月起迄今僅能采90納米制程投產(chǎn)DRAM。 

    但正因80納米出現(xiàn)瓶頸，因此導致這部分原本所估算新增產(chǎn)能，到現(xiàn)在遲遲無法開出，才會造成全球DRAM市場供貨持續(xù)處于吃緊狀態(tài)，而面對一連串市場需求旺季，三星立即做出決定，將改由8英寸廠重擔重任，先用舊的0.11微米制程于8英寸廠投產(chǎn)，而所生產(chǎn)商品則先稱之為D代商品，而接下來到80納米時所生產(chǎn)商品，才會稱之為E代DRAM產(chǎn)品。 

    三星當前雖有12英寸晶圓廠，且也均已營運相當長一段時間，照理來說如將0.11微米制程用在12英寸廠應無太大問題，但由于當下12英寸廠大多已轉(zhuǎn)近90納米制程，且更重要的在于12英寸廠對于三星來說大多需生產(chǎn)較高容量的DRAM或NAND Flash商品，在此之際三星根本無多余12英寸廠可用于投產(chǎn)80納米，因而才會選擇采用0.11微米制程投入8英寸廠量產(chǎn)標準型DRAM，不過眾所皆知這應僅是在此趕工時期的權(quán)宜之計。 

    DRAM廠指出，就連全球制程可說是領(lǐng)先群雄的三星，到了80納米制程似乎也有些許困難，也難怪其余DRAM廠在當下無論是溝槽式（Trench）或堆棧式（Stack）的DRAM廠，在由90納米制程進入到70納米制程時，也均遇上同樣問題，造成近來全球DRAM市場供貨會如此吃緊。