全球第一大DRAM制造商三星電子原來預期，在2006年第二季初80納米制程產品應開始小量供貨。但為了避免旺季來臨時，因 80納米制程轉換遇到瓶頸而喪失市場，三星臨時更換投片策略，將先行挪出8英寸廠產能采用0.11微米制程來接替，待需求轉弱時再投入80納米制程量產；目前初步估計最快也要等到2007年第一季左右，80納米制程才有產品產出，但可預期的是，全球DRAM市場將因三星的錯估制程轉換順暢度而大受影響。 

    據媒體報道，三星電子轉進90納米制程時間已幾乎長達1～2年，且制造良率相當穩(wěn)定，因此認為要進入80納米制程并非難事，原本估計2006年4月就會有比90納米的C代產品更進一步，采用80納米所制造的D代產品出現；不過，由于80納米并非如當初想象容易，導致4月起迄今僅能采90納米制程投產DRAM。 

    但正因80納米出現瓶頸，因此導致這部分原本所估算新增產能，到現在遲遲無法開出，才會造成全球DRAM市場供貨持續(xù)處于吃緊狀態(tài)，而面對一連串市場需求旺季，三星立即做出決定，將改由8英寸廠重擔重任，先用舊的0.11微米制程于8英寸廠投產，而所生產商品則先稱之為D代商品，而接下來到80納米時所生產商品，才會稱之為E代DRAM產品。 

    三星當前雖有12英寸晶圓廠，且也均已營運相當長一段時間，照理來說如將0.11微米制程用在12英寸廠應無太大問題，但由于當下12英寸廠大多已轉近90納米制程，且更重要的在于12英寸廠對于三星來說大多需生產較高容量的DRAM或NAND Flash商品，在此之際三星根本無多余12英寸廠可用于投產80納米，因而才會選擇采用0.11微米制程投入8英寸廠量產標準型DRAM，不過眾所皆知這應僅是在此趕工時期的權宜之計。 

    DRAM廠指出，就連全球制程可說是領先群雄的三星，到了80納米制程似乎也有些許困難，也難怪其余DRAM廠在當下無論是溝槽式（Trench）或堆棧式（Stack）的DRAM廠，在由90納米制程進入到70納米制程時，也均遇上同樣問題，造成近來全球DRAM市場供貨會如此吃緊。