美國司法部近日表示，又有三位DRAM廠商的高管被指控在2001-2002年期間卷入DRAM價(jià)格操縱案。其中有兩位是三星電子的韓國公民，另一位是海力士(Hynix)旗下美國子公司的美國公民。起訴書指控Hynix America的內(nèi)存銷售高級(jí)副總裁Gary Swanson，以及三星內(nèi)存部門的高管Il Ung Kim和Young Bae Rha在2001年4月-2002年6月15日期間參與了操縱DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格的共謀。 

    到目前為止，一共有16人被控參與了與DRAM價(jià)格操縱共謀有關(guān)的刑事犯罪，此前遭到指控的13人已經(jīng)認(rèn)罪，并被判入獄服刑和繳納罰金。 

    美國司法部一直在調(diào)查1999-2003年DRAM制造商的價(jià)格操縱問題。迄今罰金總額超過7.31億美元。美國司法部表示，7.31億美元的罰款是該部從單件價(jià)格操縱共謀案件中所收取的第二高罰款。1999年，美國司法部曾對(duì)參與維生素產(chǎn)業(yè)價(jià)格操縱的兩家公司罰款7.75億美元。 

    Kim、Rha和Swanson均被控違反了美國的謝爾曼反壟斷法(Sherman Antitrust Act.)，面臨的最高刑期是入獄三年外加35萬美元罰金。上月長(zhǎng)期擔(dān)任三星旗下美國公司Samsung Semiconductor高管的Thomas Quinn也認(rèn)罪，被判服刑八個(gè)月并支付25萬美元罰款。 

    三星電子(Samsung Electronics)的三名高管在今年3月已同意認(rèn)罪。德國英飛凌和韓國海力士(Hynix Semiconductor)一共有8人認(rèn)罪，并被判入獄五到八個(gè)月，每人支付25萬美元罰款。美光(Micron Technology)的一位高管則早在2003年12月承認(rèn)妨礙司法并被判軟禁六個(gè)月。 

    去年10月三星接受美國對(duì)其操縱價(jià)格的指控，同意支付3億美元罰金。韓國的Hynix Semiconductor在去年4月認(rèn)罪，并同意支付1.85億美元的罰款。德國英飛凌(Infineon Technologies)在2004年9月同意支付1.6億美元的罰款。今年1月份，日本廠商Elpida Memory同意認(rèn)罪，并支付8,400萬美元的罰款。