Ramtron International Corporation 宣布其1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V 串行F-RAM存儲器 FM25V10-G，業(yè)已通過AEC-Q100 Grade 3標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，這一嚴(yán)格的汽車等級認(rèn)證，是汽車電子設(shè)備委員會 (Automotive Electronic Council) 針對集成電路而制定的應(yīng)力測試認(rèn)證。目前Ramtron公司符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的存儲器產(chǎn)品已增加至15種，這些產(chǎn)品都經(jīng)專門設(shè)計以滿足汽車市場的嚴(yán)苛要求。通過Grade-3認(rèn)證確保器件能夠在 -40℃ 到 +80℃ 的汽車使用溫度范圍內(nèi)正常工作。

FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存儲器的成員，具有2.0V至3.6V 的寬工作電壓范圍。它是1兆位串行SPI器件，工作電流為3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝。FM25V10-G在40MHz 全總線速率下工作，具有無延遲 (NoDelay™)  寫入功能、幾乎無限的耐用性和低功耗等特點。該器件是汽車、工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、軍事、游戲以及計算等應(yīng)用中，1兆位串行閃存和串行EEPROM 存儲器的理想普適型 (drop-in) 替代產(chǎn)品。

Ramtron市場推廣經(jīng)理Mike Peters評論道：“這項認(rèn)證表明我們這個密度最高的產(chǎn)品符合汽車等級標(biāo)準(zhǔn)。在V系列產(chǎn)品線中增加達(dá)到Grade 3標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，使得我們能夠在4kb至1Mb的整個密度范圍內(nèi)，為汽車客戶提供高功效、高性能的非易失性存儲器產(chǎn)品?！?br />