東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計(jì)劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時(shí)間目前“尚未確定”(東芝)。
　　近年來，隨著智能手機(jī)市場(chǎng)的迅速擴(kuò)大、平板終端的亮相、以及SSD的普及等，針對(duì)NAND的大容量化和高速化的要求越來越強(qiáng)烈。為了滿足這種要求，東芝推出了組合使用19nm工藝和2bit/單元技術(shù)的64Gbit NAND。工藝由原來的24nm微細(xì)化至此次的19nm，由此縮小了芯片面積，而且可在嵌入智能手機(jī)和平板終端時(shí)使用的小型封裝內(nèi)最多層疊16層。為了滿足高速化要求，東芝采用了最大可實(shí)現(xiàn)400Mbit/秒高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌跇?biāo)準(zhǔn)“Toggle DDR 2.0”。