日前，記者從三星電子得知，從本月起三星電子將在全球率先量產(chǎn)采用“Toggle DDR 2.0”標(biāo)準(zhǔn)的20納米級(1納米: 十億分之一米)超高速MLC NAND Flash，今后NAND Flash全線產(chǎn)品將采用“Toggle DDR 2.0”。
    記者了解到，這是三星電子繼2009年全球率先量產(chǎn)利用133Mbp傳輸速度啟動的 30納米級32Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后，今年再次于全球率先量產(chǎn)400Mbps傳輸速度的 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。
    據(jù)悉，Toggle DDR 2.0 NAND Flash具有高性能、大容量的特點，能夠?qū)崿F(xiàn)400Mbps數(shù)據(jù)處理速度，比通用NAND Flash快10倍。有分析認(rèn)為，Toggle DDR 2.0 NAND Flash的推出有望擴大4G智能手機、平板電腦、SSD等高速NAND市場，通過應(yīng)用新一代規(guī)格，Toggle DDR 2.0或?qū)⒅鲗?dǎo)整個NAND Flash市場的高速發(fā)展。
    業(yè)內(nèi)人士表示，64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash是用在搭載比現(xiàn)有速度快一倍的USB 3.0,有望成為SATA(Serial Advanced Technology Attachment)6Gbps 等下一代界面、大容量產(chǎn)品上最合適的NAND Flash 方案。
    據(jù)推測，智能手機、SSD、存儲卡等的生產(chǎn)廠商將從今年下半年開始推出各種基于64Gb高速NAND Flash的高性能、大容量產(chǎn)品，受此影響高速NAND Flash的市場比重有望大幅增長。記者獲知，目前20納米級64Gb MLC NAND Flash不僅生產(chǎn)效率上比去年4月全球率先量產(chǎn)的20納米級32Gb MLC NAND Flash提高了50% 以上，而且成本競爭力也比30納米級32Gb MLC NAND Flash提高了2倍以上。
    三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部存儲戰(zhàn)略營銷部負(fù)責(zé)人洪完勛副董事長說，“通過這次20納米級64Gb高速NAND Flash的量產(chǎn)，三星電子將主導(dǎo)高速增長中的4G超高速智能手機甚至大容量6.0Gbps SSD市場”，洪完勛也表示，“今后三星還將適時推出更快的大容量下一代Toggle DDR NAND Flash和解決方案，讓消費者能夠在更高速的移動設(shè)備上盡情體驗各種各樣的服務(wù)”。
    根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)預(yù)測，截止2015年，NAND Flash內(nèi)存以2010年數(shù)量為基準(zhǔn)有望實現(xiàn)年均54%的增長速度，64Gb以上的產(chǎn)品比重也將從2010年的3%大幅提高到2012年的70%，實現(xiàn)飛躍增長。