據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯成績，其它DRAM業(yè)者因轉(zhuǎn)換制程時機(jī)較晚，第1季營收多不理想。

外電報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)等韓國DRAM半導(dǎo)體業(yè)者40納米等級制程比重超過50%以上。而美國美光(Micron)、日本爾必達(dá)(Elpida)、臺廠南亞等競爭業(yè)者40納米等級制程比重未滿20~40%，華亞和力晶等比重則停留在約10%。

最早轉(zhuǎn)換微細(xì)制程的三星將50納米等級制程減少21%，并將40納米制程大幅提升至75%。且三星也是DRAM業(yè)界中唯一將制程擴(kuò)大到30納米等級的業(yè)者，比重占4%。

海力士則緊跟在三星之后。海力士的60納米制程比重占1%、50納米制程比重占34%、40納米制程占65%等，其中以40納米制程占比重最高。

美光、爾必達(dá)、南亞等競爭業(yè)者仍以50納米制程比重較高，美光50納米制程比重占72%，南亞則接近70%。爾必達(dá)40納米制程比重占41%，雖然整體來說40納米制程占比最高，但60納米和50納米制程合計(jì)占比達(dá)60%，比重過半，與韓國業(yè)者相比仍有很大差異。

韓國業(yè)者逐漸將生產(chǎn)主力轉(zhuǎn)換到40納米制程，制程轉(zhuǎn)換已大部分整理完成，美光則還有1%采70納米制程，7%為60納米制程，爾必達(dá)也還有25%使用60奈米制程。

韓國相關(guān)業(yè)者表示，爾必達(dá)宣布2011年7月將會投入20納米制程量產(chǎn)，但目前轉(zhuǎn)換到40納米制程的比重仍偏低，甚至無法進(jìn)入30納米制程，較難立即轉(zhuǎn)換到20納米制程。韓國業(yè)者也認(rèn)為，60納米制程比重至今仍達(dá)4分之1，可能是轉(zhuǎn)換新制程上遭遇瓶頸的間接性證據(jù)。

除此之外，臺廠華亞科和力晶40納米制程比重各為13%和11%，在轉(zhuǎn)換微細(xì)制程方面速度仍偏緩。