據(jù)國外媒體稱，三星電子將要大批量生產(chǎn)20nm工藝的4Gbit LPDDR2內(nèi)存，相比之前的30nm工藝更加的超薄和節(jié)能。據(jù)了解，新一代20nm LPDDR2內(nèi)存顆粒的厚度僅為0.8mm，速度（主頻）可達1066Mbps，并且擁有相比之前更少的功耗。不僅可以讓手機或平板擁有大容量存儲空間，而且對續(xù)航能力也有一定的提升。

三星20nm 4Gbit LPDDR2內(nèi)存將量產(chǎn)（圖片引自互聯(lián)網(wǎng)）

三星方面也希望20nm工藝的4Gbit LPDDR2顆粒能取代30nm工藝產(chǎn)品。目前像日版三星GALAXY S III以及LG Optimus LTE 2都有跡象表示會采用2GB內(nèi)存。三星方面預(yù)測稱，20nm內(nèi)存在2012年會擁有13%市場占有率；在2013年將會擁有49%的市場占有率；2014年這個數(shù)字會達到63%。屆時手機和平板的主流內(nèi)存也會上升到2GB。