今年以來(lái)隨著SSD的平均售價(jià)大幅下跌，這種快速低功耗的存儲(chǔ)設(shè)備也隨之受到更多用戶的歡迎。不過(guò)近日日本廠商Buffalo開發(fā)出的MRAM緩存SSD（磁性阻抗RAM）和美光量產(chǎn)PCM（相變內(nèi)存）代表了SSD產(chǎn)業(yè)除不斷提高制程拼產(chǎn)能成本之外的另一種發(fā)展方向，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》評(píng)論稱一兩年之內(nèi)SSD產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)另一次革命。

目前的主流SSD產(chǎn)品除閃存之外，多搭載更高速的DDR2/DDR3 DRAM作為緩存之用（部分SandForce主控產(chǎn)品除外）。但眾所周知DRAM有著斷電之后不能保存數(shù)據(jù)這一缺點(diǎn)，遇到突然斷電時(shí)很可能導(dǎo)致SSD數(shù)據(jù)丟失。出現(xiàn)此種情況對(duì)于工業(yè)級(jí)產(chǎn)品的危害要遠(yuǎn)大于民用級(jí)產(chǎn)品：不僅是丟失數(shù)據(jù)，還可能造成主控?fù)p壞。因此目前工業(yè)級(jí)SSD會(huì)使用超級(jí)電容器使得DRAM緩存的電力供應(yīng)維持?jǐn)?shù)秒以將其轉(zhuǎn)移至閃存中。

而MRAM就不一樣，由于材料特性使用MRAM在失去電源供應(yīng)時(shí)仍能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，使其可以完全替代DRAM+超級(jí)電容器在工業(yè)級(jí)SSD當(dāng)中的位置。另外，MRAM的最大優(yōu)點(diǎn)為它可以根據(jù)系統(tǒng)狀況隨時(shí)切換開/關(guān)狀態(tài)，使得SSD整體功耗降低20-50%。雖然也只有寥寥幾瓦，不過(guò)對(duì)于使用SSD作為主要存儲(chǔ)方案的機(jī)器就相當(dāng)于可觀的續(xù)航時(shí)間。

目前MRAM材料的主要缺點(diǎn)為制造成本仍然十分高昂，主要面向工業(yè)級(jí)產(chǎn)品。但其改進(jìn)型STT-MRAM和NAND閃存一樣可以通過(guò)提高制程犧牲一些壽命換取成本下降，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》預(yù)計(jì)2013年下半年民用市場(chǎng)可普及使用MRAM作為緩存的SSD。學(xué)術(shù)界對(duì)于MRAM在CPU中充當(dāng)緩存的想法也在探討之中。

除此之外SSD中的NAND閃存未來(lái)也將被逐漸代替，這些新的RAM芯片均具有斷電不丟失數(shù)據(jù)的特性，成本也低于上面的MRAM：要么速度遠(yuǎn)高于閃存（ReRAM的寫入速度可達(dá)NAND閃存一萬(wàn)倍），要么在速度稍高的情況下耐久度和SLC閃存相當(dāng)（PCM相變內(nèi)存），同時(shí)寫入時(shí)的功耗平均只有目前SSD產(chǎn)品的1/300。

結(jié)合以上觀點(diǎn)，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》認(rèn)為，1-2年之內(nèi)SSD產(chǎn)業(yè)的進(jìn)展值得每一個(gè)用戶去關(guān)注。

Buffalo于5月展示的MRAM緩存SSD樣品

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