在中高端顯卡上，GDDR5顯存已經(jīng)全面普及，但對于低端市場，GDDR3乃至是DDR3仍是最佳選擇。韓國海力士(SK Hynix)今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)第一款2xnm工藝的GDDR3 DRAM顯存顆粒，單顆容量4Gb(512MB)。

該顯存工作電壓首次降至1.35V，相比之前的3xnm 1.5V產(chǎn)品可以節(jié)省30％的功耗，更加環(huán)保，尤其適合低功耗筆記本，能為之帶來桌面級的性能，同時也繼續(xù)支持標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓。

這種顯存的1.35V電壓工作頻率為1.8GHz，16-bit I/O下的傳輸帶寬達3.6GB/s。如果加壓到1.5V，工作頻率可提升至2GHz，帶寬也增至4GB/s。用在128-bit主流顯卡上，總帶寬分別就是28.8GB/s、32GB/s。

海力士已經(jīng)開始向客戶提供這種新型GDDR3顯存的樣品，1.35V、1.5V版本編號分別為H5TC4G63AFR、H5TQ4G63AFR。

相關(guān)消息，海力士還于日前發(fā)布了2xnm DDR3L-RS低功耗移動內(nèi)存顆粒，比之美光的30nm產(chǎn)品工藝上更加先進。電壓也是1.35V，顆粒容量2Gb、4Gb、8Gb，SO-DIMM內(nèi)存條容量2GB、4GB、8GB，號稱比DDR3L內(nèi)存待機功耗降低最多70％，性能則處于同一水平。

更多相關(guān)新聞?wù)堦P(guān)注：21ic計算機與外設(shè)頻道