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[導讀]閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術,裸片面積只有146平方毫米,比目

閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術,裸片面積只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。

TLC閃存每單元存儲3bit數(shù)據(jù),它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力,目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術。

不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算,128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場,例如SD和USB閃存驅(qū)動器,這樣可以進一步提升這些設備的容量。

預計美光將在下一季度開始量產(chǎn)這款芯片。

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