一年一度的GTC大會(huì)目前正在大洋彼岸的美國加利福尼亞州圣何塞市召開，這是由NVIDIA主辦的GPU通用計(jì)算技術(shù)大會(huì)，號(hào)稱是“圖形技術(shù)巫師”們的聚會(huì)。

幾乎每次GTC大會(huì)上NVIDIA都會(huì)拿出來些壓箱底的東西震場面，這屆自然也不會(huì)例外。NVIDIA在GTC大會(huì)的第二天公布全新的GPU架構(gòu)路線圖，NVIDIA新一代的Volta架構(gòu)首次曝光于世。

使用物理學(xué)家的名字來命名GPU架構(gòu)是NVIDIA的老傳統(tǒng)了，之前的Fermi、Kepler以及Maxwell一樣，這次的Volta也是歷史上知名的物理學(xué)家，準(zhǔn)確來說是一名電物理學(xué)家，他發(fā)明的伏打電堆奠定了現(xiàn)代電池的基礎(chǔ)(有興趣的可以參考初中物理)。

從路線圖上來看，Volta是NVIDIA的下下一代GPU架構(gòu)，在它之前的是將在2014年到來的Maxwell架構(gòu)，雖然NVIDIA沒有在路線圖上標(biāo)明Volta架構(gòu)的發(fā)布時(shí)間，但從NVIDIA兩年更新一次架構(gòu)的現(xiàn)狀來看，Volta架構(gòu)很有可能會(huì)在2016年和我們見面。

性能方面，Volta架構(gòu)的每瓦性能會(huì)在Maxwell架構(gòu)的基礎(chǔ)上再次翻番，最終達(dá)到目前Kepler架構(gòu)的3到4倍，不過這顯然不單純是架構(gòu)的功勞，新的制造工藝可能也會(huì)幫到大忙，畢竟制造工藝提升了，功耗也就隨之降低了，每瓦性能必然會(huì)有提升。

此外，Volta架構(gòu)還將帶來全新的Stacked DRAM(片上堆疊緩沖)等特性，Stacked DRAM透過穿透硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更高的顯存密度，同時(shí)可以通過通孔讓GPU直接與顯存中間的距離有效縮短，從而達(dá)到降低通訊延遲并提升存儲(chǔ)帶寬的目的。保守估計(jì)Volta的存儲(chǔ)帶寬將會(huì)因此而達(dá)到1TB/S的水平。

除了上述這些特色之外，NVIDIA CEO黃仁勛在演講中就沒有披露Volta架構(gòu)更多的信息了，預(yù)計(jì)隨著時(shí)間的推移NVIDIA會(huì)逐漸放出更多該架構(gòu)的消息。不過在此之前我們還有一個(gè)Maxwell架構(gòu)值得期待，NVIDIA還是先把它做好再說吧。