給力！三星單芯片16GB容量高性能閃存來了

時間：2013-04-12 10:43:10

關(guān)鍵字：三星芯片 GB 6G

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[導(dǎo)讀]三星宣布開始用10nm級別制程量產(chǎn)128Gb，3bit MLC NAND閃存芯片，這意味著單芯片16GB容量。憑借這種新芯片，三星可以擴(kuò)展其128GB閃存卡的供應(yīng)。3bit MLC也叫做TLC，表示閃存芯片中的每個cell可以容納3bit數(shù)據(jù)。我們知

三星宣布開始用10nm級別制程量產(chǎn)128Gb，3bit MLC NAND閃存芯片，這意味著單芯片16GB容量。憑借這種新芯片，三星可以擴(kuò)展其128GB閃存卡的供應(yīng)。

3bit MLC也叫做TLC，表示閃存芯片中的每個cell可以容納3bit數(shù)據(jù)。我們知道閃存芯片目前主要有三種類型，分別是SLC(single-level-cell), MLC( multi-level-cell)和TLC(triple-level-cell)。SLC的壽命較長，而MLC和TLC比較便宜。三星計(jì)劃采用這種閃存芯片來量產(chǎn)500GB以上容量的SSD，進(jìn)一步推動臺式機(jī)和筆記本中用SSD取代傳統(tǒng)硬盤。

另外，在Android手機(jī)中采用這種芯片也可以在手機(jī)體積不變的前提下增加其內(nèi)部存儲空間。

這種新閃存芯片在存儲密度和讀寫性能方面都達(dá)到目前業(yè)界最高標(biāo)準(zhǔn)——在DDR 2.0界面上可以達(dá)到400Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率。