雖然英特爾最新最高端的Ivy Bridge-E 平臺即將在九月份正式發(fā)布，但是由于與 Sandy Bridge-E 相比只是例行的升級，讓很多DIY 發(fā)燒友對此十分不感冒，比如新 22nm 工藝、內(nèi)存支持 DDR3-1866、更好 PCI-E 3.0 標準等，甚至性能只有 10% 左右提升。

相反，Computex 2013 電腦展上英特爾新公布的 Haswell 系列讓人興趣大增，畢竟默認頻率提升 的情況下還能保持與 Ivy Bridge 相同的價格，因此頂級旗艦處理器 Haswell-E 備受關注。日前，又有關于 Haswell-E 系 列詳情被挖掘泄露到網(wǎng)絡上了，而且這些十分詳細，亮點十足，我們一同來看看。

從這些泄露的官方文檔圖中明顯首先可以看到，Haswell- E 系處理器的發(fā)布時間在 2014 年下半年。該系列處理器分為六核或八核兩種，支持超線程技術(Hyper Threading)，首次出 現(xiàn) 8 核 16 線程，三級緩存(L3)為 20MB，TDP (熱設計功耗)最大為 130W 或 140W。

最 重要的是，Haswell-E 首次支持四通道 DDR4 內(nèi)存(不兼容 DDR3)。DDR4 默認頻率可分為 333MHz、1600MHz、 1866MHz 和 2133MHz 幾種，不過 2133MHz 正常情況下應該會成為廠商首推初始頻率，而且還會有更高頻率的 DDR4 內(nèi)誕生，至 于價格必定會比已經(jīng)普及的 DDR3 貴不上。

毫無疑問，英特爾更多的是注重 Haswell-E 系列芯片的超高新能，甚至懶得懶得推出 四核型號了?？吹竭@里很多燒友發(fā)現(xiàn)另一家不幸的事情了，明年年底才推出 Haswell-E 雖然性能強大，令人印象十分深刻，但這似乎意味著另一條消 息，即下一代采用 14 nm 制程工藝的 Broadwell 處理器可能不會在 2014 年發(fā)布了。

其余參數(shù)方面，Haswell- E 平臺相比當前 Ivy Bridge-E/EP 的最終性能提升約 33-50% 左右，提升相當可觀，并且原生支持 6 個 USB 3.0 接 口、8 個 USB 2.0 接口和 10 個 SATA 6Gbps 接口。另外，Haswell-E 采用的是 LGA 2011-3 類型插槽，尺 寸與 LGA 2011 相同，但效率會更高，只是缺口不會向后兼容，老平臺需更換新主板。

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