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[導(dǎo)讀]閃存行業(yè)的制程競(jìng)賽又到達(dá)了另一個(gè)里程碑。鎂光表示,該公司已經(jīng)開始樣產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小的128Gb(16GB)MLC閃存芯片。該芯片采用16nm的制程技術(shù),比該公司的20nm工藝更加精細(xì)。鎂光聲稱,對(duì)于任何樣產(chǎn)的半導(dǎo)體裝置來說,該16

閃存行業(yè)的制程競(jìng)賽又到達(dá)了另一個(gè)里程碑。鎂光表示,該公司已經(jīng)開始樣產(chǎn)業(yè)內(nèi)最小的128Gb(16GB)MLC閃存芯片。該芯片采用16nm的制程技術(shù),比該公司的20nm工藝更加精細(xì)。鎂光聲稱,對(duì)于任何樣產(chǎn)的半導(dǎo)體裝置來說,該16nm制程工藝是"最先進(jìn)的"。該公司計(jì)劃在下一季度將16nm 128Gb的芯片帶入量產(chǎn)(full production)階段,當(dāng)然,該芯片也將在明年推出的全新SSD產(chǎn)品家族中露面。

預(yù)計(jì)該16nm 128Gb芯片會(huì)覆蓋USB驅(qū)動(dòng)器、閃存卡、平板、智能機(jī)和數(shù)據(jù)中心SSD等產(chǎn)品。

因?yàn)楦?xì)的制程,能夠讓相同的硅片出產(chǎn)更多的成品。轉(zhuǎn)向16nm的128Gb(16GB)芯片,意味著零售端將出現(xiàn)更高容量/更低價(jià)格的固態(tài)硬盤,但是其速度可能明顯比20nm的128Gb芯片要慢。

目前的8通道SSD控制器,每個(gè)通道可以連上4個(gè)NAND芯片,因此要實(shí)現(xiàn)峰值的性能,就需要32顆閃存芯片。搭建240-256GB的驅(qū)動(dòng)器,只需要16顆128Gb的閃存。

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