閃存行業(yè)的制程競賽又到達了另一個里程碑。鎂光表示，該公司已經開始樣產業(yè)內最小的128Gb(16GB)MLC閃存芯片。該芯片采用16nm的制程技術，比該公司的20nm工藝更加精細。鎂光聲稱，對于任何樣產的半導體裝置來說，該16nm制程工藝是"最先進的"。該公司計劃在下一季度將16nm 128Gb的芯片帶入量產(full production)階段，當然，該芯片也將在明年推出的全新SSD產品家族中露面。

預計該16nm 128Gb芯片會覆蓋USB驅動器、閃存卡、平板、智能機和數據中心SSD等產品。

因為更精細的制程，能夠讓相同的硅片出產更多的成品。轉向16nm的128Gb(16GB)芯片，意味著零售端將出現(xiàn)更高容量/更低價格的固態(tài)硬盤，但是其速度可能明顯比20nm的128Gb芯片要慢。

目前的8通道SSD控制器，每個通道可以連上4個NAND芯片，因此要實現(xiàn)峰值的性能，就需要32顆閃存芯片。搭建240-256GB的驅動器，只需要16顆128Gb的閃存。