這一整合讓嵌入式存儲器速度更快、散熱更低、設(shè)計更簡單

21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布與Memoir Systems合作開發(fā)出革命性的算法內(nèi)存技術(shù)(Algorithmic Memory Technology)。新技術(shù)將用于制造采用全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI，fully-depleted silicon-on-insulator)技術(shù)的專用集成電路(ASIC，application-specific integrated circuits)和系統(tǒng)芯片(SoCs，Systems on Chips) 的內(nèi)部存儲器。

當集成到采用FD-SOI技術(shù)的產(chǎn)品時，Memoir Systems的算法存儲器沒有損失任何性能，這歸功于 FD-SOI在功耗和性能上的優(yōu)勢[1] 。此外，F(xiàn)D-SOI的極低軟錯誤率[2] 結(jié)合超低泄漏電流對于包括網(wǎng)絡(luò)、交通、醫(yī)療和航空等關(guān)鍵應(yīng)用意義重大。

意法半導(dǎo)體設(shè)計支持和服務(wù)執(zhí)行副總裁Philippe Magarshack表示：“就FD-SOI工藝本身而言，F(xiàn)D-SOI配備了ASIC和SoC設(shè)計工具，與其它制造工藝相比，它可實現(xiàn)速度更快，散熱更低。而且增加了Memoir Systems的知識產(chǎn)權(quán)后，我們把FD-SOI產(chǎn)品變得更具吸引力，并展示了其簡單的移動特點。”

Memoir Systems共同創(chuàng)辦人兼首席執(zhí)行官Sundar Iyer表示：“我們專注于突破存儲器技術(shù)，實現(xiàn)更短的設(shè)計周期和極高的性能，這使我們的同類最優(yōu)的算法存儲技術(shù)能夠嵌入FD-SOI平臺，這對于我們和客戶都具有重要意義。簡單的移動特點結(jié)合有目共睹的優(yōu)異性能證實，F(xiàn)D-SOI可實現(xiàn)速度更快、散熱更低、設(shè)計更簡單。”

作為領(lǐng)先的ASIC生產(chǎn)廠商，意法半導(dǎo)體率先推出了突破性的全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)制造工藝，擴展和簡化了現(xiàn)有平面體硅制造工藝。FD-SOI晶體管提高了靜電特性，縮短了溝道長度，因此工作頻率高于采用傳統(tǒng)CMOS制造的晶體管。

[1] 測試證明，F(xiàn)D-SOI技術(shù)制造的產(chǎn)品與體硅技術(shù)制造的同類產(chǎn)品相比，性能和能效均提高30%。

[2] 軟錯誤率(SER)是同級的基板產(chǎn)品五十至一百分之一，測量結(jié)果低于10 FIT/Mb (故障時間或故障次數(shù)每十億芯片小時)。