近日消息，據(jù)科技博客CNET報道，來自日本和美國的20多家芯片開發(fā)和制造企業(yè)組成研發(fā)聯(lián)盟，宣布未來將共同致力于下一代“磁隨機存取存儲器”(MRAM)存儲技術研發(fā)。多家廠商聯(lián)合加大MRAM存儲技術推廣及應用，或將宣告長期統(tǒng)治存儲市場的DRAM時代行將結束。

援引周日《日經(jīng)新聞》網(wǎng)絡版消息，包括東京電子(Tokyo Electron)、信越化學工業(yè)(Shin-Etsu Chemical)、瑞薩電子(Renesas Electronics)、日立等日本公司以及美國芯片巨頭美光科技在內的20多家芯片相關企業(yè)，計劃在明春啟動一項旨在加大MRAM存儲技術推廣及應用研發(fā)項目。

報道稱，這些公司“將派出幾十名研究人員”進駐日本北部的東北大學(Tohoku University)，由Tetsuo Endoh教授領銜這項新技術的研發(fā)。據(jù)悉，這項聯(lián)合研發(fā)項目將在明年2月份正式啟動。

與傳統(tǒng)的DRAM存儲技術相比，MRAM耗電量僅為前者的三分之一，但讀寫速度卻達到DRAM的十倍。從理論上來講，MRAM存儲技術的優(yōu)勢使其更適合于下一代智能手機和平板電腦。不過這些觀點是否能夠在真正在商業(yè)產(chǎn)品上得以實現(xiàn)還有待進一步觀察。報道稱，預計MRAM存儲技術被大規(guī)模應用還需等到2018年。

此前，盡管有不少企業(yè)聯(lián)手進行了下一代存儲芯片技術的研發(fā)，但大都沒有取得實質性進展而宣告失敗。也有少數(shù)企業(yè)在此領域取得了突破，位于美國亞利桑那州的Everspin Technologies公司宣告其已開發(fā)出MRAM產(chǎn)品，并成功推向市場。