很少人會(huì)想到NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場(chǎng)IBM/Texas Memory Systems關(guān)于快閃記憶體儲(chǔ)存系統(tǒng)的電話會(huì)議，聽(tīng)到不少儲(chǔ)存系統(tǒng)專家試圖把對(duì)話導(dǎo)引到IBM在下一代記憶體技術(shù)的規(guī)劃上，于是很驚訝地發(fā)現(xiàn)這些人居然都認(rèn)為 NAND快閃記憶體很快就會(huì)被新記憶體技術(shù)取代。

筆者在去年7月的HotChips大會(huì)上曾經(jīng)做過(guò)一場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，指出快閃記憶體在未來(lái)十年將會(huì)是主流記憶體技術(shù);而現(xiàn)在該產(chǎn)業(yè)才剛進(jìn)入SanDisk所說(shuō)的“1Ynm”世代，接著還將邁入“1Znm”世代。SanDisk認(rèn)為，在“1Znm”之后，平面記憶體將式微，我們將進(jìn)入3D記憶體的時(shí)代;其他NAND快閃記憶體制造大廠也有類似的預(yù)測(cè)。

不過(guò)有鑒于這個(gè)產(chǎn)業(yè)的運(yùn)作模式，在“1Znm”世代之后，若出現(xiàn)另一條延續(xù)平面記憶體生命的新途徑也不足為奇;因此如果以每個(gè)記憶體世代兩年生命周期來(lái)計(jì)算，平面快閃記憶體應(yīng)該還能存活4~6年。在那之后，我們則將會(huì)擁有3D NAND快閃記憶體技術(shù)。

雖然三星(Samsung)在去年8月宣布開(kāi)始量產(chǎn)3D結(jié)構(gòu)的V-NAND快閃記憶體，但該產(chǎn)品的稀有性意味著它還沒(méi)準(zhǔn)備好取代平面記憶體的地位;筆者猜測(cè)，3D記憶體技術(shù)到2017年以前應(yīng)該都還不會(huì)真正的大量生產(chǎn)。

今日大多數(shù)廠商都預(yù)期3D記憶體在式微之前也會(huì)經(jīng)歷三個(gè)世代，因此同樣以兩年一個(gè)世代來(lái)計(jì)算，NAND快閃記憶體技術(shù)應(yīng)該在4~6年之后，還會(huì)有另外一個(gè)6年的生命;所以在記憶體產(chǎn)業(yè)真的需要新技術(shù)來(lái)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品價(jià)格下降那時(shí)，應(yīng)該已經(jīng)是10~12年之后了。

我的意思并不是其他記憶體技術(shù)有什么不對(duì)，只是目前尚未有足夠的力量讓它們的價(jià)格能比 NAND快閃記憶體更低廉;而且在 NAND快閃記憶體到達(dá)制程微縮極限之前，也沒(méi)有其他的動(dòng)能可以改變現(xiàn)在的狀況。無(wú)論如何，要達(dá)到最低的成本、總是要有最大的產(chǎn)量，NAND快閃記憶體與DRAM目前就是比其他任何一種記憶體技術(shù)更便宜的方案。