昨天有報告稱NAND閃存價格Q1季度環(huán)比下降，推動了大容量存儲的智能手機、SSD硬盤普及，這主要得益于NAND廠商大規(guī)模量產(chǎn)64層3D閃存。未來要想進一步提升NAND容量，堆棧層數(shù)顯然還會進一步提升，東芝、西數(shù)去年宣布了96層堆棧的3D閃存，今天西數(shù)宣布BiCS 4技術(shù)的96層3D閃存已經(jīng)開始出貨給客戶，X4技術(shù)的QLC閃存未來也將是重點。

西數(shù)收購閃迪之后已經(jīng)變成全球領(lǐng)先的NAND供應(yīng)商，技術(shù)上他們跟東芝是一派的，主要使用BiCS技術(shù)，已經(jīng)推出了四代BiCS技術(shù)，目前的主力是BiCS 3，量產(chǎn)的NAND閃存堆棧層數(shù)是64層，去年展示過96層堆棧的BiCS 4閃存，這將是西數(shù)、東芝下一代主力。

西數(shù)今天宣布正在出貨BiCS 4技術(shù)的96層3D閃存給客戶，不過耐人尋味的是這些客戶主要是USB U盤、存儲卡等，沒提到桌面或者企業(yè)級市場。從西數(shù)CEO的表態(tài)來看，BiCS 4技術(shù)目前還不夠成熟，所以說現(xiàn)在用于SSD等市場還有點早，這是先拿U盤等市場試試水。

根據(jù)西數(shù)的表態(tài)，96層堆棧的3D閃存核心容量最初是256Gb，相比目前沒多少優(yōu)勢，不過最終可能會達到1Tb核心容量，也就是128GB，封裝幾顆NAND核心的話就可以輕松制造出TB級硬盤。

只不過到時候的主力就是X4技術(shù)的QLC閃存了，目前MLC、TLC閃存還是主流，但是從美光、英特爾開始出貨QLC閃存硬盤開始，QLC在2018年將會越來越多，畢竟大容量的優(yōu)勢讓廠商欲罷不能，消費者要想購買到廉價的TB級硬盤，QLC閃存也不可避免。