今日三星在官網(wǎng)宣布量產(chǎn)10nm工藝內(nèi)存顆粒的SO-DIMM規(guī)格DDR4內(nèi)存，單條最大32GB，頻率最高可達(dá)2666MHz，同時(shí)運(yùn)行功耗將可以下降39%之多。

以往在SO-DIMM上實(shí)現(xiàn)32GB內(nèi)存十分費(fèi)勁，比方說(shuō)之前的芝奇推出的Ripjaws 3800MHz DDR4內(nèi)存就是用的三星高端B-die 內(nèi)存顆粒，但是需要用到四條8GB才能組成總?cè)萘?2GB。而這一次三星依靠在存儲(chǔ)顆粒上的優(yōu)勢(shì)，量產(chǎn)出10nm單顆粒16Gb(2GB)的內(nèi)存IC，最后可以制作出單條32GB的SO-DIMM內(nèi)存。而且頻率進(jìn)一步提升至2666MHz水平，剛好與現(xiàn)在的高端第八代酷睿處理器相匹配，同時(shí)得益于10nm工藝的更低漏電率，其功耗從7.4W下降至4.5W，幅度達(dá)到39%之多，這個(gè)也為增加筆記本續(xù)航時(shí)間+1s。

三星表示，推出高容量高規(guī)格的SO-DIMM規(guī)格內(nèi)存可以幫助筆記本廠商組建性能更強(qiáng)游戲筆記本，同時(shí)自身還會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)展10nm工藝在存儲(chǔ)領(lǐng)域的利用，未來(lái)還將會(huì)推出10nm的LPDDR4、GDDR5、DDR4內(nèi)存顆粒。