上午在西數(shù)宣布96層QLC閃存出樣的新聞中還在猜東芝官方什么時候發(fā)新聞，實際上東芝公司日前也一樣發(fā)了96層堆棧BiCS 4技術(shù)的QLC閃存，閃存技術(shù)規(guī)格跟西數(shù)QLC閃存是一樣的，也是1.33Tb核心容量，不過雙發(fā)的進度、目標不同，東芝預計在9月份才開始出樣給客戶，2019年量產(chǎn)，目前已經(jīng)開發(fā)出了單芯片2.66TB的硬盤原型。

東芝是NAND閃存的發(fā)明人，還是最早開發(fā)3D NAND閃存的，同時也是閃存芯片公司中第一個討論QLC閃存的，這點倒是不假，首次公開研發(fā)QLC閃存的廠商就是東芝，三星作為全球最大的NAND廠商在TLC閃存上先吃了螃蟹，但在QLC閃存三星倒是很低調(diào)，前不久量產(chǎn)的第五代V-NAND閃存還是TLC類型的，三星只是表態(tài)稱后續(xù)會有QLC閃存及1Tb核心容量的閃存。

東芝的QLC閃存規(guī)格西數(shù)的是一樣——準確來說是西數(shù)的QLC閃存跟東芝一樣的，使用的都是東芝的BiCS 4技術(shù)，96層堆棧。東芝/西數(shù)選擇的BiCS技術(shù)路線跟其他家的NAND閃存都不同，一直以來容量密度都是業(yè)界最好水平之一，這次的QLC閃存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特爾公布的1Tb核心大了33%。

基于1.33Tb核心的QLC閃存，東芝已經(jīng)開發(fā)出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2.66TB，大家還記得東芝之前發(fā)布的RC100系列硬盤嗎，它使用的就是單芯片封裝，一顆閃存最大容量才480GB，現(xiàn)在QLC閃存的幫助下單芯片封裝實現(xiàn)了2.66TB的容量，是之前的5倍多。

在上市進度方面，西數(shù)那邊是已經(jīng)出樣，今年量產(chǎn)，首發(fā)于閃迪SSD硬盤中，但東芝這邊要比西數(shù)慢一些，今年9月份才開始出樣給SSD硬盤及主控廠商，用于評估及開發(fā)，2019年才開始批量生產(chǎn)。不過今年8月份的FMS 2018閃存峰會上，東芝將會展示首個QLC封裝原型。