最近一段時間來美光、英特爾、東芝、西數(shù)先后宣布了QLC閃存出樣以及96層堆棧3D閃存上市的消息，作為全球第一大NAND供應(yīng)商的三星在這方面倒是很低調(diào)，但是三星的行動一點(diǎn)也不慢，前幾天宣布量產(chǎn)第五代V-NAND閃存，今年將推出32TB容量的TLC閃存硬盤，1Tb核心容量的QLC閃存硬盤今年內(nèi)也會問世。

三星公司日前在日本東京舉行了“三星SSD論壇2018東京”會議，宣布了該公司在NAND閃存及SSD上的一些進(jìn)展，日本PCWatch網(wǎng)站做了詳盡報道，這里我們節(jié)選了部分內(nèi)容報道，主要涉及超大容量32TB硬盤及QLC閃存的。

首先是三星在NAND閃存上的一些優(yōu)勢，2002年首發(fā)了1Gb核心的NAND閃存，2013年首發(fā)了128Gb核心的NAND閃存，現(xiàn)在這是首發(fā)了1Tb核心容量的V-NAND閃存。目前三星的主力是64層堆棧的第四代V-NAND閃存，前不久三星宣布量產(chǎn)第五代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)提升到了90層以上(很多報道中說是96層，不過三星官方說法是90層以上)。

三星將基于最新的3D閃存推出32TB容量的硬盤，不過這個硬盤看起來像是M.2規(guī)格，實(shí)際上兩者不太一樣，M.2是22mm寬，80-110mm長，三星用的是NGSFF(NF1)規(guī)格，長110mm，寬30.5mm，也就是說比M.2硬盤更寬一些，好處是可以并排放下兩組NAND閃存，有助于提高SSD容量，32TB硬盤就是這么來的。

不過它使用的是SAS界面，主打企業(yè)級市場，除了容量增大之外，第四代V-NAND閃存的隨機(jī)性能也是前代的2.5倍之多。

三星這個32TB容量的SSD硬盤使用的還是TLC閃存，三星在QLC閃存方面也沒有放松，已經(jīng)有1Tb核心容量的QLC閃存，三星也有32核心堆棧的QLC硬盤了，預(yù)計2018年上市。

三星的QLC硬盤是用于企業(yè)級市場，目的是取代現(xiàn)在的10K、15K轉(zhuǎn)HDD硬盤，與他們相比，QLC閃存硬盤的TCO總成本下降了66%。

除了數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等市場，三星還會推出客戶端級QLC硬盤，也就是消費(fèi)級市場也會有QLC閃存硬盤，三星PPT中提到的是SATA接口，與TLC閃存的硬盤相比，QLC硬盤一樣可以實(shí)現(xiàn)540、520MB/s的讀取、寫入速度，性能上沒差距。

現(xiàn)在除了SK Hynix沒有具體公布他們的96層堆棧閃存及QLC閃存進(jìn)度之外，其他三大陣營的NAND供應(yīng)商都公布了QLC硬盤的進(jìn)度了，數(shù)據(jù)中心市場是QLC硬盤的重點(diǎn)，但目標(biāo)不是取代TLC硬盤而是取代HDD硬盤，主要是那些關(guān)鍵任務(wù)所用的10K、15K高性能HDD硬盤。

至于消費(fèi)級市場，QLC硬盤預(yù)計在下半年問世，雖然理論上1Tb核心的QLC閃存可以輕松做到5TB甚至10TB以上的容量，不過真正上市的話首發(fā)容量不會這么大，畢竟還是要考慮到消費(fèi)者的承受力，但是照這個趨勢下去，明年有可能普及256-512GB的SSD硬盤了。