國(guó)內(nèi)廠商使用的NAND閃存及DRAM內(nèi)存全部來(lái)自進(jìn)口，去年光是存儲(chǔ)芯片進(jìn)口就高達(dá)896億美元，目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)布局了三大存儲(chǔ)芯片基帶，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前專注于3D NAND閃存研發(fā)、生產(chǎn)。在今年8月份的FMS國(guó)際閃存會(huì)議上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也將首次參加，CEO楊士寧將展示新型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)Xtacking，號(hào)稱I/O接口速度達(dá)到了DDR4內(nèi)存的水平，同時(shí)具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)密度。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布的公告，他們研發(fā)的Xtacking結(jié)構(gòu)3D NAND閃存，將具有前所未有的I/O速度，從而能夠?qū)FS、SSD硬盤及企業(yè)級(jí)SSD等產(chǎn)品的性能提升到前所未有的程度。

除了高速度，Xtacking堆棧還實(shí)現(xiàn)了NAND與外圍電路的并行處理，這種閃存開發(fā)和制造工藝的模塊化將縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間，并為NAND閃存產(chǎn)品定制化提供了可能。

目前Xstacking閃存的具體信息還沒(méi)有公布，一切還要等楊士寧在8月7日的FMS會(huì)議上發(fā)表主題演講才能確定。

不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)所說(shuō)的I/O接口是指NAND閃存的接口，目前NAND閃存使用的主流接口有Toggle、ONFi，最新的Toggle 3.0接口速度可達(dá)800 MT/s，ONFi 4.0也能達(dá)到800MT/s，不過(guò)這兩個(gè)接口標(biāo)準(zhǔn)在三星、美光、英特爾的3D NAND閃存上已經(jīng)少有提及。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)所說(shuō)的Xtacking能達(dá)到DDR4內(nèi)存的速度指的就是I/O接口，不過(guò)DDR4公認(rèn)的初始頻率就有2133MT/s，這個(gè)速度確實(shí)比ONFi、Toggle接口快得多，只不過(guò)現(xiàn)在這些都還是猜測(cè)，具體還要等長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開。

Xtacking閃存應(yīng)該是長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)研的新技術(shù)，目前還在申請(qǐng)專利，對(duì)新入NAND市場(chǎng)的公司來(lái)說(shuō)積累技術(shù)是個(gè)艱苦但又不得不做的階段，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前及未來(lái)量產(chǎn)的3D NAND閃存似乎并沒(méi)有這么先進(jìn)，此前公開展示的還是32層堆棧的64Gb核心閃存，之前接到過(guò)1萬(wàn)片晶圓的NAND訂單，但主要是用來(lái)制造8GB存儲(chǔ)卡的，并不高端。

不過(guò)也有消息稱2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)真正量產(chǎn)的時(shí)候，生產(chǎn)的3D NAND閃存將是64層堆棧的，這樣一來(lái)技術(shù)水平跟三星、美光、東芝等公司將縮短到2-3年時(shí)間。