今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是電子元器行業(yè)一年來第一次在資本支出上花費超過1000億美元。1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。

如圖所示，超過一半的行業(yè)資本支出預(yù)計用于內(nèi)存生產(chǎn)——主要是DRAM和閃存，這些支出包括了對現(xiàn)有晶圓廠線和全新制造設(shè)施的升級。總的來說，預(yù)計今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%。

數(shù)據(jù)顯示，存儲設(shè)備的資本支出份額在過去六年大幅增加，幾乎翻了一番，從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的行業(yè)資本支出總額的53%(540億美元)，也就是說存儲產(chǎn)業(yè)的投資在2013-2018年間的復(fù)合年增長率高達30%。

經(jīng)過兩年的資本支出大幅增加，一個迫在眉睫的主要問題是，高水平的支出是否會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和價格下降。

他們表示，存儲市場的歷史先例表明，過多的支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和隨后的價格疲軟。 但目前看來，包括三星，SK海力士，美光，英特爾，東芝/西部數(shù)據(jù)/ SanDisk和XMC /長江存儲技術(shù)都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量(以及更多中國新內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司進入市場) 。