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[導讀]自2018年第二季起,內(nèi)存價格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開出價格開始松動,由其是在中國大陸,無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開出;盡管目前尚未進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價格仍有下跌空間, 在未來兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價格飆漲的狀況。

內(nèi)存價格從2016年起一路上揚,但自2018下半年起,由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出,因此資策會MIC預(yù)測內(nèi)存價格將開始下滑。

資策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示,2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀,盡管2018年內(nèi)存價格成長空間有限,但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此,預(yù)估2018年全球半導體市場規(guī)模將成長10.1%,其中最大的原因是各應(yīng)用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加,以及車用電子等新興應(yīng)用帶動。

洪春暉進一步指出,內(nèi)存受惠于市場價格上揚,2018年全年臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%,產(chǎn)值達2,053億新臺幣。 但自2018年第二季起,內(nèi)存價格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開出價格開始松動,由其是在中國大陸,無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開出;盡管目前尚未進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,但預(yù)期2018下半年內(nèi)存價格仍有下跌空間, 在未來兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價格飆漲的狀況。

由于內(nèi)存供給有望增加,因此展望2019年,預(yù)計內(nèi)存成長趨緩,預(yù)期成長幅度為3.8%。 觀測臺灣產(chǎn)業(yè),半導體則因高階制程與內(nèi)存市場帶動呈穩(wěn)定成長,預(yù)估2018年臺灣半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達2.46兆新臺幣,較2017年成長8.1%,成長動力與全球平均水平相當。 但預(yù)期在2019年,DRAM制程將轉(zhuǎn)進至1x和1y納米,F(xiàn)lash產(chǎn)能也持續(xù)增加,預(yù)計內(nèi)存價格下滑將對臺廠造成沖擊。

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