在NAND閃存市場(chǎng)上，三星、東芝、西數(shù)、美光、SK Hynix及英特爾這六家公司占據(jù)了絕大多數(shù)份額，不過(guò)NAND閃存也是中國(guó)近年來(lái)發(fā)力追趕的重要領(lǐng)域，尤其是紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，他們?cè)谖錆h投資240億美元建設(shè)中國(guó)最大的存儲(chǔ)芯片基地，今年底量產(chǎn)32層堆棧的64Gb核心閃存。面對(duì)中國(guó)廠商在NAND市場(chǎng)上的威脅，這些公司是怎么看的呢?西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難，他們?cè)谶@方面依然有優(yōu)勢(shì)，中國(guó)的NAND廠商在2020年之前不會(huì)帶來(lái)什么有意義的改變。

西數(shù)已經(jīng)量產(chǎn)了96層堆棧的3D NAND閃存

西數(shù)公司CFO Mark Long上周也出席了花旗銀行2018全球技術(shù)大會(huì)，并回答了分析師提問(wèn)，其中就涉及到了西數(shù)如何看待中國(guó)廠商進(jìn)入NAND領(lǐng)域的問(wèn)題。對(duì)于這個(gè)問(wèn)題，Mark Long表示他們非常關(guān)注所有的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但有一點(diǎn)很清楚，NAND對(duì)技術(shù)的要求比人們想象中的更難，新進(jìn)入市場(chǎng)的廠商需要很長(zhǎng)時(shí)間才能獲得這種能力，他們需要通過(guò)回報(bào)及工藝進(jìn)展來(lái)證明這項(xiàng)投資的正確。

當(dāng)中國(guó)廠商有能力進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)時(shí)，Mark Long認(rèn)為他們依然是落后的，即便中國(guó)廠商有能力提供不斷增長(zhǎng)的NAND芯片，西數(shù)在技術(shù)上依然會(huì)保持優(yōu)勢(shì)，同時(shí)會(huì)通過(guò)這個(gè)技術(shù)優(yōu)勢(shì)生產(chǎn)商有優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。

Mark Long提到上述這些都是西數(shù)關(guān)注的領(lǐng)域，而中國(guó)廠商在2020年之前不太可能的對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生什么有意義的變化。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司的規(guī)劃，今年底他們將量產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，核心容量64GB，明年將量產(chǎn)64層堆棧的128Gb核心的3D NAND閃存，同時(shí)還會(huì)研發(fā)128層堆棧的3D NAND閃存。但在技術(shù)方面，西數(shù)、東芝、美光等公司今年底就要量產(chǎn)96層堆棧的3D NAND閃存了，核心容量提升到了1Tb到1.33Tb，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存在技術(shù)上確實(shí)要落后兩三年時(shí)間。