就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來(lái)1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國(guó)另一家存儲(chǔ)器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術(shù)來(lái)生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器，未來(lái)有機(jī)會(huì)藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。

根據(jù)韓國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo)，不論是處理器還是存儲(chǔ)器，現(xiàn)在的半導(dǎo)體生產(chǎn)幾乎都離不開光刻機(jī)。至于采不采用最先進(jìn)的EUV極紫外光光科技術(shù)目前主要是看廠商的需求及成本。相較來(lái)說(shuō)，以邏輯芯片的處理器產(chǎn)品來(lái)看，因?yàn)樵谥瞥坦?jié)點(diǎn)推進(jìn)到7納米制程之后，對(duì)EUV技術(shù)的需求就明顯而直接。而且越往下的先進(jìn)制程，未來(lái)也就越仰賴EUV技術(shù)。

報(bào)導(dǎo)指出，而反觀DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，目前對(duì)EUV技術(shù)需求相對(duì)來(lái)說(shuō)就沒(méi)有處理器來(lái)得那么殷切。原因是目前最先進(jìn)的DRAM存儲(chǔ)器制程依然在18納米以上。所以，除了三星與海力士之外，全球三大存儲(chǔ)器廠之一的美光，之前就表態(tài)表示，即使到了1α及1β的制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)，也還沒(méi)有使用EUV技術(shù)的必要性。

不同于美光的看法，三星在處理器的邏輯芯片制程導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，在DRAM存儲(chǔ)器制程上也傳出開始在1Y納米制程節(jié)點(diǎn)上嘗試EUV技術(shù)，而且最快在2020年量產(chǎn)EUV技術(shù)的1Y納米DRAM存儲(chǔ)器。而除了三星之外，SK海力士也將在韓國(guó)的利川市新建的DRAM生產(chǎn)工廠中，研發(fā)內(nèi)含EUV技術(shù)的DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)技術(shù)。

至于，為何要采用EUV技術(shù)來(lái)生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器，其原因就在于可以提高光刻精度、減小線寬、降低存儲(chǔ)器單位容量成本。不過(guò)，雖然DRAM存儲(chǔ)器希望以EUV技術(shù)來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。只是，目前在此領(lǐng)域EUV技術(shù)還不夠成熟，產(chǎn)能不如普通的光刻機(jī)，這部分還需要時(shí)間來(lái)進(jìn)行改進(jìn)。