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[導(dǎo)讀]日前,據(jù)外媒SlashGear報道,來自紐約大學(xué)的物理學(xué)家團隊發(fā)現(xiàn)了一種全新的磁體。這種磁體被稱為“單線態(tài)磁體”,它被發(fā)現(xiàn)于稱為“USb2”的鈾和銻的化合物中,可以在磁化和非磁化的狀態(tài)之間快速轉(zhuǎn)化,考慮到這一特性,這種磁體有望提高存儲設(shè)備的性能。

日前,據(jù)外媒SlashGear報道,來自紐約大學(xué)的物理學(xué)家團隊發(fā)現(xiàn)了一種全新的磁體。這種磁體被稱為“單線態(tài)磁體”,它被發(fā)現(xiàn)于稱為“USb2”的鈾和銻的化合物中,可以在磁化和非磁化的狀態(tài)之間快速轉(zhuǎn)化,考慮到這一特性,這種磁體有望提高存儲設(shè)備的性能。

 

 

隨著他們的研究成果發(fā)表在《Nature Communications》雜志上,物理學(xué)家已經(jīng)證明這種磁體可以存在于穩(wěn)定的環(huán)境中。在談到這種磁體將如何改善存儲技術(shù)時,紐約大學(xué)首席研究員Andrew Wray解釋稱,目前有大量關(guān)于使用磁體和磁力來改進數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的研究。單線態(tài)磁體磁體能夠在磁相和非磁相之間實現(xiàn)更突然的過渡。要讓材料在非磁性狀態(tài)和強磁狀態(tài)之間變換是非常容易的,這不僅有利于速度的提升,更有利于功耗的降低。

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