今年64層堆疊的3D TLC閃存已經(jīng)是SSD市場(chǎng)的絕對(duì)主流，用96層堆疊閃存的SSD也開(kāi)始上市了，廠商們已經(jīng)向更高層的128層堆疊進(jìn)軍，在年初的2019閃存峰會(huì)上SK海力士還有國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)宣布了他們的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，現(xiàn)在東芝與西數(shù)的128層堆疊閃存計(jì)劃也泄露了出來(lái)。

Blocks & Files已經(jīng)拿到了東芝與西數(shù)的128層堆疊3D NAND的部分資料，它將會(huì)被命名為BiCS 5，而96層堆疊的3D NAND則名為BiCS 4，128層堆疊閃存將會(huì)使用CuA設(shè)計(jì)，邏輯電路層在芯片的底部，而數(shù)據(jù)層則堆疊在上方，與非CuA技術(shù)相比這可把芯片尺寸縮小15%。目前公布出來(lái)的128層堆疊3D NAND使用TLC設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)密度接近96層堆疊的3D QLC，存儲(chǔ)密度比自家的96層堆疊3D TLC提升了29.8%，如果采用QLC設(shè)計(jì)的話存儲(chǔ)密度會(huì)更高。

BiCS 5的閃存單die采用4 Planes設(shè)計(jì)，而與2 Planes設(shè)計(jì)相比寫(xiě)入速度從66MB/s提升到132MB/s，這以為著SSD在SLC Cache用光之后TLC的原始寫(xiě)入速度會(huì)變得不會(huì)那么難看，不過(guò)具體的寫(xiě)入速度表現(xiàn)還得看主控的算法，如果用全盤SLC Cache的方案，Cache用光后依然沒(méi)法看。

預(yù)計(jì)東芝與西數(shù)會(huì)在2020年末開(kāi)始投產(chǎn)128層堆疊的BiCS-5閃存，而產(chǎn)能應(yīng)該在2021年才會(huì)提上去，屆時(shí)才能看到對(duì)應(yīng)的SSD產(chǎn)品。