市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技(TrendForce)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第1季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價(jià)已下跌逾20%。且在價(jià)格加速下跌情形下，需求并未回溫，交易仍顯清淡，預(yù)期DRAM均價(jià)在庫存尚未去化完成下，第3季恐維持跌勢(shì)。

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，累積在DRAM供應(yīng)商的庫存水位在第1季底普遍已超過六周(含Wafer bank)，而買方庫存水位雖在不同產(chǎn)品別略有增減，但平均亦至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周。

DRAMeXchange指出，受惠于1Ynm制程貢獻(xiàn)，供給位元仍持續(xù)成長(zhǎng)，為盡速消化庫存，DRAM供應(yīng)商普遍采取大幅降價(jià)策略以刺激銷售;與第1季相似，第2季跌幅最大的產(chǎn)品別為PC與服務(wù)器存儲(chǔ)器，跌幅約2成，而移動(dòng)式存儲(chǔ)器受惠新機(jī)潮拉貨動(dòng)能跌幅較小，約10-15%，預(yù)估DRAM均價(jià)在第2季將持續(xù)下跌近2成水位。

觀察DRAM各應(yīng)用別今年的價(jià)格走勢(shì)，由于庫存水位較高的關(guān)系，自去年第4季來，以標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器存儲(chǔ)器跌幅最為明顯。以PC需求面來說，今年缺乏刺激出貨量成長(zhǎng)的因素，再加上英特爾CPU缺貨狀況在中低端機(jī)型仍未緩解，使上半年出貨不振形況特別顯著。以主流標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器模塊8GB解決方案來看，第1季度價(jià)格已下滑近3成，最低價(jià)已落在近40美元(單位下同)，展望第2季，均價(jià)持續(xù)下探35元，年底恐面臨30元關(guān)卡。

DRAMeXchange指出，服務(wù)器經(jīng)歷連續(xù)兩年的需求高峰后，第1季由于庫存偏高，加上進(jìn)入傳統(tǒng)OEM淡季，備貨動(dòng)能明顯衰退，雖然3月開始，部分北美數(shù)據(jù)中心廠商開始陸續(xù)洽單，但整體采購力道仍未復(fù)甦。另外，現(xiàn)階段供需雙方普遍庫存偏高，在既有庫存去化與需求動(dòng)能恢復(fù)前，預(yù)估服務(wù)器存儲(chǔ)器價(jià)格將持續(xù)走跌，DRAMeXchange預(yù)估，第2季仍將有2成左右的跌幅，第3與第4季也會(huì)維持接近1成左右的降價(jià)空間。

在移動(dòng)存儲(chǔ)器方面，第1季受到智能手機(jī)市場(chǎng)需求不旺、生產(chǎn)總量年減逾10%影響，行動(dòng)存儲(chǔ)器供應(yīng)商無法有效去化庫存，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)下探，discrete以及eMCP產(chǎn)品平均跌幅接近2成，市場(chǎng)報(bào)價(jià)混亂。展望第2、第3季，雖為傳統(tǒng)旺季效應(yīng)加上Android及iPhone雙陣營旗艦新機(jī)備料帶動(dòng)，整體需求將轉(zhuǎn)趨熱絡(luò)，不過考量今年智能手機(jī)總生產(chǎn)數(shù)量將呈現(xiàn)負(fù)成長(zhǎng)，中、低端手機(jī)平均搭載容量成長(zhǎng)有限，預(yù)估第2、第3季合約價(jià)將持續(xù)下跌惟跌幅趨緩。

而就利基型存儲(chǔ)器價(jià)格走勢(shì)來看，農(nóng)歷假期過后，大陸有部分機(jī)頂盒、網(wǎng)通標(biāo)案訂單出現(xiàn)帶動(dòng)小量拉貨需求，然一次性標(biāo)案結(jié)束后，整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下，預(yù)期今年第2季、3季利基型存儲(chǔ)器價(jià)格仍將分別走跌15%與10%。