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[導(dǎo)讀]相信不少玩家也都記得,Intel在去年9月于舊金山舉行的IDF上展示了一顆能用太陽能電池驅(qū)動(dòng)的超低功耗處理器。本周IEEE召開的半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議ISSCC 2012上Intel正式公布了這一CPU的技術(shù)細(xì)節(jié)。除3D Tri-Gate晶體管外,IS

相信不少玩家也都記得,Intel在去年9月于舊金山舉行的IDF上展示了一顆能用太陽能電池驅(qū)動(dòng)的超低功耗處理器。本周IEEE召開的半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議ISSCC 2012上Intel正式公布了這一CPU的技術(shù)細(xì)節(jié)。除3D Tri-Gate晶體管外,ISSCC上Intel著重推介的是近閾值電壓(Near-Threshold Voltage)技術(shù)。

目前的CPU在核心電壓降至一定水準(zhǔn)以后根本無法啟動(dòng),給低電壓低功耗處理器的研發(fā)帶來了一定困難,而Intel的近閾值電壓技術(shù)使得邏輯電路中的器件在超低電壓下仍能正常運(yùn)轉(zhuǎn)。

IDF上Intel展示的處理器是采用32納米工藝制程打造的——Pentium(沒錯(cuò),不過不知道是P54C還是P55C),代號(hào)為Claremont,比起當(dāng)年所使用的0.35微米工藝先進(jìn)了N倍。近閾值電壓技術(shù)使得Claremont的核心電壓最低可降至280mV,此時(shí)核心頻率為3MHz和8086/8088時(shí)代有一拼,功耗也低至只有2mW;而核心電壓/核心頻率最高為1.2V/915MHz。

此外,Intel還分享了利用NTV技術(shù)的可變精度浮點(diǎn)計(jì)算模塊,以及22nm 3D Tri-Gate晶體管圖形引擎,均能使能耗比提高7-9倍。

近閾值電壓技術(shù)細(xì)節(jié)

去年Intel展示的用太陽能電池驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)

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