美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）日前發(fā)表2011國際半導(dǎo)體科技藍(lán)圖（International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS），其中詳細(xì)提出各種短期及長期發(fā)展趨勢，一路規(guī)劃出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)至2026年的發(fā)展。

美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會此次公布的藍(lán)圖，首先在2011年12月14日發(fā)表于南韓，制作過程中美國、歐洲、日本、南韓、臺灣等5個區(qū)域的晶圓廠、研究機(jī)構(gòu)等均有貢獻(xiàn)。據(jù)該協(xié)會會長Brian Toohey指出，制作藍(lán)圖的團(tuán)隊希望借由預(yù)先提出可能會遇到的關(guān)鍵技術(shù)難關(guān)及可能解決方式，以令各界有更多時間進(jìn)行研究。

在規(guī)劃如此藍(lán)圖時，困難之處在于如何追隨摩爾定律，持續(xù)微縮半導(dǎo)體制程，但在此同時又提高效能以符合市場需求，其中諸如記憶體、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、感應(yīng)器、3D晶片等議題都包括在內(nèi)。

美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會指出，在各種領(lǐng)域之中，DRAM的發(fā)展尤其快速，這樣一來也同時可望帶來高效能伺服器、游戲主機(jī)用顯示卡等新技術(shù)。

在藍(lán)圖中，快閃記憶體因用于目前在市場上如數(shù)位相機(jī)、平板電腦、手機(jī)等熱門可攜式產(chǎn)品上，因而受到特別矚目。根據(jù)預(yù)測，快閃記憶體將可在未來數(shù)年快速發(fā)展，而2016年可望被采用的3 D技術(shù)，更將令記憶體容量大幅增加。