DRAM廠第3季財報陸續(xù)公布，在價格崩盤、減產(chǎn)導(dǎo)致出貨減少下，各廠第3季虧損金額都持續(xù)擴大，南亞科和華亞科合計單季虧損將近新臺幣190億元，力晶第3季則虧損66.63億元，對于DRAM產(chǎn)業(yè)后市，南亞科釋出悲觀訊息表示，近期泰國洪水問題影響到硬碟馬達龍頭廠日本電廠（Nidec），客戶對于11、12月訂單仍在評估中，最悲觀的情況是對2012年1、2月需求產(chǎn)生沖擊，讓DRAM市場更加疲軟。

南亞科2011年第3季自行營收73.23億元，較上季減少約36%，營業(yè)凈損98.2億元，稅后虧損119.63億元，以股本403億元換算，單季每股虧損2.97元；華亞科第3季營收89.44億元，營業(yè)損失約69.17億元，稅后虧損約70.22億元，單季每股虧損1.52元，其中第3季稅后虧損包含跌價損失約11.98億元。

力晶原本第2季虧損大幅縮小，但第3季在DRAM價格大跌、減產(chǎn)和減少出貨下，單季虧損幅度再度擴大至66.63億元，換算每股稅后虧損1.2元；合計南亞科、華亞科、力晶3大DRAM廠第3季虧損高達256億元。

南亞科發(fā)言人白培霖表示，日前泰國洪水問題影響硬碟供應(yīng)鏈，尤其是市占率超過50%的馬達龍頭廠商日本電產(chǎn)的泰國廠飽受洪災(zāi)之傷，將影響到未來個人電腦（PC）和筆！記型電腦（NB）市場出貨情況，雖然客戶稱10月仍有庫存因應(yīng)，但11、12月狀況都還在評估，最糟的可能性是影響2012年1、2月出貨，因此對DRAM需求也會疲軟；再者，2011年第4季并沒有傳統(tǒng)需求的跡象。

南亞科第3季虧損擴大，主要是因為其出貨量較第2季減少7%，DRAM平均售價受到崩盤影響而大跌32%，導(dǎo)致單季虧損逼近120億元；南亞科指出，已于7月正式導(dǎo)入30奈米制程技術(shù)作試產(chǎn)，預(yù)計2012年進入量產(chǎn)，期望降低成本結(jié)構(gòu)。

展望第4季，南亞科預(yù)估位元成長率（bitgrowth）將較第3季成長5~10%，全年位元成長率預(yù)估為55~60%；再者，2011年資本支出仍維持120億元，主要是添購轉(zhuǎn)進30奈米制程技術(shù)的機器設(shè)備；再者，南亞科日前為提升凈值，避免每股凈值轉(zhuǎn)負引發(fā)下市危機，因此宣布辦理150億股以內(nèi)的私募，預(yù)計于11月17日舉行臨時股東會，整起私募案寄望于11月底前完成。

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華亞科第3季每片晶圓所的晶粒數(shù)較第2季增加15%，但每片晶圓平均營收則較上季減少21%，第3季晶圓出貨雖較上季成長12%，但營收仍是較上季減少12%。

華亞科已于9月初完成42奈米制程轉(zhuǎn)換，第3季位元出貨量為28%，在制程轉(zhuǎn)換帶動下，晶片生產(chǎn)總成本減少16%；華亞科表示，預(yù)估2011年第4季位元出貨量將增加15~20%，全年位元出貨量預(yù)期將達130%。

再者，華亞科從8月中開始試產(chǎn)30奈米制程，預(yù)計2012年第1季將開始進入量產(chǎn)30奈米4GbDDR3產(chǎn)品，目標是在2012年中30奈米制程比重可達30%。

華亞科指出，2011年前3季已入帳資本支出為113億元，因42奈米制程轉(zhuǎn)換所需費用較預(yù)計減少，且30奈米制程轉(zhuǎn)換規(guī)劃將暫時先不動用華亞M廠（原亞美科技廠房），因此2011全年資本支出將由原本的170億元下調(diào)至120億元。

除了南亞科進行募資之外，華亞科日前也規(guī)劃辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計發(fā)行11億股普通股，為轉(zhuǎn)進30奈米制程做準備。

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來源：[db:出處]

作者：tee