韓國三星電子今天正式宣布，目前已經(jīng)開始正式量產(chǎn)全球首款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達64GB。

該DDR4內(nèi)存采用三星自家先進的2xnm工藝，所采用的TSV技術(shù)，是一種穿透硅晶圓或芯片的垂直互連方式，可將多個芯片堆疊起來，提升容量和性能。三星在2010年的4xnm 8GB內(nèi)存上就首次使用了TSV，2011年又完成了3xnm 32GB，現(xiàn)在是第一次用于DDR4。內(nèi)存芯片目前的容量水平已經(jīng)趨于平穩(wěn)，而內(nèi)存模塊已經(jīng)可以直接插入主板之上，所以三星創(chuàng)新性的3DTSV封裝技術(shù)則實現(xiàn)了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。

未來，DDR4將逐漸開始取代現(xiàn)有的DDR3內(nèi)存，并且從下個季度開始首先應(yīng)用在服務(wù)器和游戲PC上。DDR4內(nèi)存將節(jié)省超過50%的電能，并且在內(nèi)存帶寬上也要節(jié)省超過35%。英特爾同樣在9月初計劃推出兼容與DDR4內(nèi)存的Grantley芯片，并且首批產(chǎn)品將應(yīng)用到聯(lián)想和戴爾的服務(wù)器產(chǎn)品中。

“使用數(shù)據(jù)中心服務(wù)的應(yīng)用程序?qū)娜切碌膬?nèi)存產(chǎn)品中獲得巨大的收益，”Insight 64的首席分析師Nathan Brookwood表示。而這其中包括了數(shù)據(jù)庫和分析應(yīng)用服務(wù)，涵蓋了那些來自O(shè)racle和SAP的業(yè)務(wù)，更大容量的數(shù)據(jù)被保存在內(nèi)存中，將有助于提高應(yīng)用程序的性能。

“提高DRAM芯片產(chǎn)品的密度越來越難，因此選擇直接疊加的方式是一個很好的選擇，這樣會使現(xiàn)有的DRAM芯片技術(shù)在一個模塊中性能提升兩倍以上。”Brookwood表示。

繼去年首次量產(chǎn)3DV-NAND閃存之后，三星3DTSV內(nèi)存模塊標(biāo)志著存儲技術(shù)史上的一個新的里程碑。之前3DV-NAND技術(shù)實現(xiàn)了單顆裸片上各個存儲單元垂直堆疊結(jié)構(gòu)，如今3D TSV封裝技術(shù)則實現(xiàn)了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。

三星方面表示，未來采用3D TSV技術(shù)將DDR4裸片堆疊4層以上，制造出密度更高的內(nèi)存模塊。采用TSV封裝技術(shù)的64GB內(nèi)存模塊速度最高提升一倍，而能耗也降低約一半。隨著服務(wù)器市場正加速從DDR3向DDR4過渡，此舉將加快高端內(nèi)存市場的擴大。

由此，自從基于3D TSV技術(shù)的40納米8GB DRAM RDIMM和30納米32GB DRAM RDIMM產(chǎn)品研發(fā)以來，三星一直在不斷改善3D TSV技術(shù)，特別專為TSV封裝開始運行了一套新的制造系統(tǒng)，用來量產(chǎn)新型服務(wù)器用內(nèi)存模塊。