韓國三星電子今天正式宣布，目前已經開始正式量產全球首款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術打造的DDR4內存條，單條容量高達64GB。

該DDR4內存采用三星自家先進的2xnm工藝，所采用的TSV技術，是一種穿透硅晶圓或芯片的垂直互連方式，可將多個芯片堆疊起來，提升容量和性能。三星在2010年的4xnm 8GB內存上就首次使用了TSV，2011年又完成了3xnm 32GB，現(xiàn)在是第一次用于DDR4。內存芯片目前的容量水平已經趨于平穩(wěn)，而內存模塊已經可以直接插入主板之上，所以三星創(chuàng)新性的3DTSV封裝技術則實現(xiàn)了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。

未來，DDR4將逐漸開始取代現(xiàn)有的DDR3內存，并且從下個季度開始首先應用在服務器和游戲PC上。DDR4內存將節(jié)省超過50%的電能，并且在內存帶寬上也要節(jié)省超過35%。英特爾同樣在9月初計劃推出兼容與DDR4內存的Grantley芯片，并且首批產品將應用到聯(lián)想和戴爾的服務器產品中。

“使用數(shù)據中心服務的應用程序將從三星新的內存產品中獲得巨大的收益，”Insight 64的首席分析師Nathan Brookwood表示。而這其中包括了數(shù)據庫和分析應用服務，涵蓋了那些來自Oracle和SAP的業(yè)務，更大容量的數(shù)據被保存在內存中，將有助于提高應用程序的性能。

“提高DRAM芯片產品的密度越來越難，因此選擇直接疊加的方式是一個很好的選擇，這樣會使現(xiàn)有的DRAM芯片技術在一個模塊中性能提升兩倍以上。”Brookwood表示。

繼去年首次量產3DV-NAND閃存之后，三星3DTSV內存模塊標志著存儲技術史上的一個新的里程碑。之前3DV-NAND技術實現(xiàn)了單顆裸片上各個存儲單元垂直堆疊結構，如今3D TSV封裝技術則實現(xiàn)了多層堆疊的裸片之間的垂直互連。

三星方面表示，未來采用3D TSV技術將DDR4裸片堆疊4層以上，制造出密度更高的內存模塊。采用TSV封裝技術的64GB內存模塊速度最高提升一倍，而能耗也降低約一半。隨著服務器市場正加速從DDR3向DDR4過渡，此舉將加快高端內存市場的擴大。

由此，自從基于3D TSV技術的40納米8GB DRAM RDIMM和30納米32GB DRAM RDIMM產品研發(fā)以來，三星一直在不斷改善3D TSV技術，特別專為TSV封裝開始運行了一套新的制造系統(tǒng)，用來量產新型服務器用內存模塊。