富士通微電子（上海）有限公司日前宣布，東京工業(yè)大學(xué)（Tokyo-Tech）、富士通實(shí)驗(yàn)室(Fujitsu Laboratories Ltd.)和富士通有限公司已經(jīng)聯(lián)合開發(fā)出一種用于新一代非易失鐵電隨機(jī)存儲器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)的新型材料。 這種鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使數(shù)據(jù)存儲容量達(dá)到目前FeRAM生產(chǎn)中使用的材料的五倍。

    使用基于BFO的材料，在類似于采用180nm技術(shù)制造FeRAM的裝置內(nèi)，采用富士通的65nm工藝技術(shù)就可以生產(chǎn)出新的FeRAM。這種材料的使用，可以將FeRAM的記憶容量擴(kuò)展到256M bit。

    鑒于新一代個(gè)人化移動(dòng)電子產(chǎn)品（例如IC卡）必須具有小巧、安全、易于操作等特點(diǎn)，新的FeRAM將在功耗和速度方面有大幅的改善，以便滿足此種需要。 對于這類電子產(chǎn)品來說，F(xiàn)eRAM技術(shù)可以提供最適合的非易失記憶設(shè)備，預(yù)計(jì)樣品將會在2009年發(fā)布。