位于法國(guó)巴黎的伯克利傳感器和執(zhí)行器中心（BSAC）將于2012年1月29日舉辦研討會(huì)。此次研討會(huì)將介紹采用碳化硅和氮化鋁制造MEMS無線傳感器的目前研究情況以及未來展望，以應(yīng)對(duì)低端惡劣環(huán)境下MEMS的應(yīng)用。這些傳感器正在集成到碳化硅電子器件和氮化鋁儲(chǔ)能設(shè)備，以建造首個(gè)單芯片自供電無線傳感器系統(tǒng)。

這次研討旨在考察整個(gè)美國(guó)能源流情況（每年約100EJ），這些能量流大約85%由化石燃料燃燒產(chǎn)生的，所以研討會(huì)根據(jù)這個(gè)調(diào)查概述了一個(gè)高溫傳感器系統(tǒng)（600-1000°C）的幾種選擇方案。然后，將介紹能夠抵抗高溫環(huán)境的傳感器系列，包括一些已經(jīng)在600°C、64000g沖擊和干蒸汽噴射環(huán)境下正常工作的傳感器原型。通過研究MEMS的制造方法，許多適合的薄膜材料將作為這次傳感器套件的候選材料。

接下來將要介紹的是許多現(xiàn)有的和已經(jīng)研發(fā)中的傳感器，還將介紹碳化硅電子集成到傳感器相關(guān)技術(shù)以及碳化硅電子器件（包括有源和無源）制造和測(cè)試的最近研究成果。為了適應(yīng)極端環(huán)境，RF部件采用氮化鋁相關(guān)技術(shù)以及溫度補(bǔ)償射頻濾波器的最近研究結(jié)果都將介紹和展示。研討會(huì)還會(huì)給出單芯片自供電無線傳感器系統(tǒng)的展望和未來相關(guān)技術(shù)的一系列結(jié)論