意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)與研究機構展開合作，攜手開發(fā)下一代MEMS器件的試制生產(chǎn)線。下一代MEMS器件將采用壓電或磁性材料和3D封裝等先進技術以增強MEMS產(chǎn)品的功能性。該項目由納米電子行業(yè)公私合營組織歐洲納米計劃顧問委員會(ENIAC)合作組織(JU)發(fā)起。

為運作這個2800萬歐元為期30個月的Lab4MEMS項目，意法半導體與橫跨9個歐洲國家的大學、研究機構和技術授權組織進行合作。該項目運用意法半導體在法國、意大利和馬耳他的MEMS設施建立一整套集研制測試封裝于一體的下一代MEMS制造能力中心。

意法半導體擁有800余項MEMS專利，產(chǎn)品銷量已突破30億顆大關，自營產(chǎn)能日產(chǎn)量超過400萬顆，這些驕人的業(yè)績讓意法半導體成為Lab4MEMS項目進行下一代MEMS研究的領導者。該項目將開發(fā)壓電(PZT)薄膜等技術以增強現(xiàn)有純硅MEMS的特性，如下一代MEMS將實現(xiàn)更大的位移、更高的感應功能及能量密度。智能傳感器、執(zhí)行器、微泵和能量收集器的制造需要這些先進技術，以滿足未來數(shù)據(jù)存儲器、噴墨打印機、醫(yī)療保健設備、汽車電子系統(tǒng)、工業(yè)控制和智能樓宇以及智能手機和導航設備等消費電子應用的需求。

該項目還將開發(fā)先進封裝技術和芯片垂直互連技術，采用倒裝片、芯片通孔、封裝通孔技術實現(xiàn)3D集成器件，滿足人體局部傳感器和遠程健康監(jiān)護應用的需求。完善適合量產(chǎn)的壓電沉積制程，并將其整合至復雜的MEMS制程，在系統(tǒng)級芯片上實現(xiàn)創(chuàng)新的執(zhí)行器和傳感器，是該項目的主要目標之一。

Lab4MEMS是ENIAC JU簽定的一個關鍵使能技術(KET)試制項目，旨在于開發(fā)對社會影響重大的技術和應用領域。意法半導體歐洲研發(fā)與公共事務部項目經(jīng)理Roberto Zafalon表示：“ENIAC JU研究項目與意法半導體的運用科技提高生活品質(zhì)的承諾相結(jié)合可產(chǎn)生更大的協(xié)同效應，項目成員和利益相關者受益，包括ENIAC成員國，都會從這個重要項目受益。我們期望開發(fā)成果最終可轉(zhuǎn)化為長期的市場增長和寶貴的知識型就業(yè)機會。”

ENIAC JU是一個公私合營的產(chǎn)學聯(lián)盟，成員包括ENIAC成員國、歐盟和歐洲納米電子技術研究協(xié)會(AENEAS)，目前該組織通過競標的形式為其招標的研發(fā)項目提供大約18億歐元的研發(fā)經(jīng)費。意法半導體負責的Lab4MEMS項目于2012年中標，2013年1月開始運作。