安森美半導(dǎo)體（美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）宣布，其硅鍺（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成電路現(xiàn)在均可提供16引腳無(wú)引線四方扁平（QFN）封裝，進(jìn)一步拓展了該公司在高速數(shù)據(jù)與時(shí)鐘管理元件市場(chǎng)的地位。這種封裝與其他工業(yè)等級(jí)溫度范圍內(nèi)的封裝相比，節(jié)省電路板空間，同時(shí)大幅提高了熱性能。
采用QFN封裝的Gigacomm™器件目前額定溫度范圍為-40° C to +85° C，尺寸為3 mm x 3 mm，比倒裝球柵陣列（FCBGA）封裝減少44%。
QFN封裝
采用QFN封裝的Gigacomm™器件，其性能相等於采用FCBGA封裝，但大幅減少了電路板空間占用并有效提高了熱性能。QFN的結(jié)溫僅為每瓦（W）功耗55° C。安森美半導(dǎo)體的數(shù)據(jù)與時(shí)鐘管理Gigacomm™集成電路系列，結(jié)合創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、SiGe工藝和QFN封裝，頻率高達(dá)12千兆赫（GHz）以上。
GigaComm™ 技術(shù)
Gigacomm™與砷化稼為本的同類競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)相比，具有無(wú)可匹敵的性能和極低價(jià)格。安森美半導(dǎo)體首次推出硅鍺（SiGe）技術(shù)為本的產(chǎn)品是性能高于10 GHz的高速時(shí)鐘與數(shù)據(jù)管理集成電路系列，其價(jià)格接近互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體（CMOS）方案。Gigacomm™器件出眾的性能可理想地應(yīng)用于迅速發(fā)展的企業(yè)網(wǎng)絡(luò)、寬帶通信、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備和醫(yī)學(xué)影像等市場(chǎng)。
Gigacomm™器件系列在某些速度高于12 GHz的情況下功能廣泛。這些器件的上升和下降時(shí)間典型值為40皮秒，抖動(dòng)僅在毫微微秒（10-15秒）范圍內(nèi)。所有Gigacomm™器件均提供安森美半導(dǎo)體的AnyLevel™輸入技術(shù)，可接受負(fù)極性射極耦合邏輯（NECL）、正極性射極耦合邏輯（PECL），電流模式邏輯（CML）、低電壓CMOS、低電壓晶體管對(duì)晶體管邏輯（LVTTL）或低壓差動(dòng)信號(hào)（LVDS）。
器件
- NBSG11為2.5 V或3.3 V硅鍺差動(dòng)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器，可將輸入時(shí)鐘信號(hào)再生成兩個(gè)相同輸出信號(hào)的形式，采用16引腳QFN封裝。輸出信號(hào)為降低擺幅射極耦合邏輯（RSECL），以降低功耗。
- NBSG14為帶1:4扇出與RSECL輸出的2.5 V或3.3 V硅鍺差動(dòng)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器，16引腳QFN封裝。
- NBSG16為帶RSECL輸出的2.5 V或3.3 V硅鍺差動(dòng)接收器/驅(qū)動(dòng)器，16引腳QFN封裝。
- NBSG16VS提供不同擺幅輸出。視乎控制引腳的輸入信號(hào)， 輸出信號(hào)振幅可從100Mv放大到750mV，具有很大的設(shè)計(jì)靈活性。16引腳QFN封裝。
- NBSG53A為2.5 V或3.3 V硅鍺器件，可用作可選式差動(dòng)時(shí)鐘與數(shù)據(jù)D觸發(fā)器與帶除以1或2功能的時(shí)鐘除法器。復(fù)位功能允許改變器件狀態(tài)，而輸出等級(jí)選擇（OLS）技術(shù)可以五個(gè)步進(jìn)階段在100mV和800mV之間改變輸出。16引腳QFN封裝。
- NBSG86A為帶輸出等級(jí)選擇的2.5 V或3.3 V硅鍺差動(dòng)智能門(mén)。它為與/與非、或/或非、異或/同或或2:1復(fù)用功能之間的選擇提供可編程靈活性。NBSG86A可為高性能應(yīng)用提供速度極快的主要邏輯功能。16引腳QFN封裝。
所有Gigacomm器件均提供評(píng)估與演示板，也可提供具有更大設(shè)計(jì)靈活性的芯片形式。
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