IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù),面向22nm及以下節(jié)點。
在IEDM會議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長,非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管,IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。
該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng)新,包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入),以及提高的源漏架構(gòu)。
該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的SOI晶圓。
存儲業(yè)務(wù)是根據(jù)不同的應(yīng)用環(huán)境,運營商或業(yè)務(wù)提供商通過采取合理、安全、有效的方式將數(shù)據(jù)保存到某些介質(zhì)上并能保證有效訪問的業(yè)務(wù)。
關(guān)鍵字: IBM 存儲團隊 IBM存儲業(yè)務(wù)IBM發(fā)布2022財年第三季度財報。季度總營收為141.07億美元,與去年同期的132.51億美元相比增長6%;凈虧損為31.96億美元,去年同期的凈利潤為11.30億美元;來自于持續(xù)運營業(yè)務(wù)的虧損為32.14億美元;不...
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