臺(tái)積電總裁張忠謀認(rèn)為,雖然近期IC業(yè)的形勢(shì)越來(lái)越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。

在近期舉行的臺(tái)積電技術(shù)會(huì)上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來(lái)越高，因此臺(tái)積電將比過(guò)去在芯片制造商與代工之間更加加強(qiáng)緊密合作。

它對(duì)于大家說(shuō),此種合作關(guān)系要從芯片設(shè)計(jì)開(kāi)始, 并相信未來(lái)臺(tái)積電會(huì)做得更好。

它同時(shí)指出，加強(qiáng)合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競(jìng)爭(zhēng)者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對(duì)于臺(tái)積電都能構(gòu)成大的威脅。

非常幸運(yùn), 大部分代工廠己經(jīng)從去年非常困難境況下重新看到了好的市場(chǎng)前景。張忠謀認(rèn)為目前全球代工的市場(chǎng)很好, 從近期看相當(dāng)不錯(cuò), 再往下看也該可以。

按張忠謀看法, 2010年全球IC銷(xiāo)售額可達(dá)2760億美元,比09年增長(zhǎng)22%,而到2011年IC市場(chǎng)也望有7%的增長(zhǎng)。

再往前看, 雖然工業(yè)前景面臨大的挑戰(zhàn), 原因是電子產(chǎn)品中半導(dǎo)體含量的增長(zhǎng)速度開(kāi)始減緩及IC的平均售價(jià)ASP繼續(xù)下降。

它作出估計(jì),未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)將減緩, 在2011-2014年期間全球IC業(yè)的年均增長(zhǎng)率CAGR為4.2%。

從技術(shù)層面, 同樣有許多挑戰(zhàn), 摩爾定律減緩及研發(fā)費(fèi)用急速增加。

張忠謀提出如下三大挑戰(zhàn)

1,尺寸繼續(xù)縮小越來(lái)越困難，工業(yè)界己經(jīng)把光學(xué)光刻方法用到了極限，未來(lái)很快將向非光學(xué)光刻方法過(guò)渡, 但是成本太高。

2,漏電流變成大問(wèn)題及彑連的復(fù)雜性繼續(xù)成為問(wèn)題。

3,建廠成本高聳,越來(lái)越少的芯片制造商具有能力建廠, 真是不好說(shuō)未來(lái)還能有幾家愿意為14nm-10nm建廠。顯然,只要有人愿意跟綜,臺(tái)積電也決不落后，臺(tái)積電的目標(biāo)就是做領(lǐng)先者。

臺(tái)積電作為全球代工的領(lǐng)先者, 從技術(shù)路線上在28nm之后, 決定跳過(guò)22nm(full node), 直接進(jìn)入20nm(half node) 時(shí)代。

在技術(shù)會(huì)議上臺(tái)積電會(huì)提出20nm CMOS工藝的細(xì)節(jié), 它將成為臺(tái)積電28nm之后的主要平臺(tái)技術(shù), 同時(shí)臺(tái)積電聲言它不會(huì)提供18nm工藝技術(shù)，而可能直接躍入14nm。